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半導體元件與物理
半導體元件與物理
Semiconductor Devices and physics
Semiconductor Devices and physics
許正興
國立聯合大學電機工程學系
聯大電機系電子材料與元件應用實驗室
1. Crystal Structure of Solids
2. Quantum Theory of Solids
3. Semiconductor in Equilibrium and Carrier Transport
phenomena
4. PN Junction and Metal-Semiconductor
5. BJT
6. MOSFET
7. Optical Device
聯大電機系電子材料與元件應用實驗室
第一個電晶體, ATT貝爾實驗室, 1947
第一個單晶鍺, 1952
第一個單晶矽, 1954
第一個積體電路元件, 德州儀器, 1958
第一個矽積體電路晶片, 費爾查德照相機公司, 1961
聯大電機系電子材料與元件應用實驗室
第一個電晶體,貝爾實驗室, 1947
聯大電機系電子材料與元件應用實驗室
第一個電晶體的發明者
約翰‧巴定,威廉‧肖克萊和 華特‧布萊登
聯大電機系電子材料與元件應用實驗室
1958年德州儀器的傑克、克畢製造出的第一
個積體電路晶片(棒)
照片提供: 德州儀器
聯大電機系電子材料與元件應用實驗室
1961年費爾查德攝影機公司在矽晶圓上製出的第一個
積體電路
聯大電機系電子材料與元件應用實驗室
摩爾定律
1964年哥登 ‧摩爾(英特爾公司的共同創始人之一)
價格不變之下,電腦晶片上的元件數目,幾乎每12個月就增加
一倍
1980年代減緩至每18個月
到目前仍屬正確,預期可以維持到2010年
聯大電機系電子材料與元件應用實驗室
摩爾定律(英特爾版本)
Transistors
Pentium III
10M
80486
Pentium
1M
80386
100K
8086 80286
10K
4040
8080
1K
1975 1980 1985 1990 1995 2000
聯大電機系電子材料與元件應用實驗室
ITRS Roadmap
聯大電機系電子材料與元件應用實驗室
IC 的尺度
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