文档详情

功率半导体器件及其应用.pdf

发布：2023-05-17约1.99万字共14页下载文档

文本预览下载声明

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883409 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210320695.6 (22)申请日 2022.03.29 (71)申请人松山湖材料实验室地址 52300

显示全部

相似文档

功率半导体器件及其应用.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823908 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210259292.5 (22)申请日 2022.03.16 (71)申请人松山湖材料实验室地址 52300
2023-05-16 约1.63万字 14页立即下载
功率半导体器件及其应用.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823907 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210258377.1 (22)申请日 2022.03.16 (71)申请人松山湖材料实验室地址 52300
2023-05-16 约1.36万字 11页立即下载
一种功率半导体器件及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112820645 B (45)授权公告日 2022.07.05 (21)申请号 202011637491.2 H01L 29/423 (2006.01) (22)申请日 202
2023-06-05 约2.47万字 24页立即下载
功率半导体器件.pptx 第2讲：功率半导体器件授课人：王丛岭wangcl12@uestc.edu.cn2022-05-22ModernPowerElectronics1现代电力电子技术理想的开关器件关断时可承受正、反向电压（越高越好）开通时可流过正、反向电流（越大越好）开通态、关断态均无损耗状态转换过程无损耗状态转换过程快速完成（越快越好）开关寿命长（允许的开关次数越多越好）ModernPowerElectronics2第2讲功率半导体器件 功率半导体器件的状态导通态（on）关断态（off）切换态（turnon和turnoff换流与换相）ModernPowerElectronics3第2讲功率半导体器件 功率半导体
2024-04-03 约2.47千字 31页立即下载
功率半导体器件.pptx 功率半导体器件作者： 功率半导体器件概述定义功率半导体器件是用于控制和转换大功率电能的半导体器件。作用在电力电子系统中，功率半导体器件充当开关、整流器和放大器。应用广泛应用于各种领域，包括电力系统、汽车、工业自动化等。 功率半导体器件的特点高功率容量功率半导体器件能够处理高功率，这是它们区别于普通半导体器件的关键特点。快速开关速度功率半导体器件能够在短时间内快速开关，这使得它们可以高效地控制电力流动。高效率功率半导体器件的效率很高，能够将大部分输入能量转换为输出能量，减少能量损失。 功率半导体器件的主要类型二极管单向导电,用于整流、保护等三极管放大或开关信号,用于功率放大、驱动等场效应管电压控
2025-02-20 约3.2千字 26页立即下载
功率半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013240 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202011509191.6 H01L 29/861 (2006.01)
2023-06-10 约3.3万字 33页立即下载
功率半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212461702 U (45)授权公告日 2021.02.02 (21)申请号 202021434739.0 (22)申请日 2020.07.20 (73)专利权人嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
2023-02-10 约1.24万字 14页立即下载
沟槽功率半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213150783 U (45)授权公告日 2021.05.07 (21)申请号 202022429057.7 (22)申请日 2020.10.28 (73)专利权人无
2023-03-01 约2.77万字 25页立即下载
功率半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213150786 U (45)授权公告日 2021.05.07 (21)申请号 202022541853.X (22)申请日 2020.11.06 (73)专利权人无
2023-02-28 约1.12万字 12页立即下载
横向功率半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394291 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110476270.X (22)申请日 2021.04.29 (71)申请人电子科技大学地址
2023-06-20 约2.55万字 43页立即下载
功率半导体器件概要.ppt 功率半导体器件 第一章绪论 1.1 理想的和典型的开关波形总耗散功率：低频工作区：开态损耗占主导，低开态压降的功率开关器件是追求目标高频工作区：开关损耗占主导，高开关速度和低的转换时间是追求目标实际需要对低开态压降和低开关损耗进行折衷 1.2 理想的和典型的功率器件特性 1.3 单极性功率器件 1.4 双极性功率器件 1.5 MOS-双极功率器件 1.6 双极性器件的理想漂移区 1.7 用于制备功率器件的半导体材料优值 1.8 课程内容及考核 P-i-n整流器件，双极功率器件，功率MOSFET，晶闸管类器件，双极-MOS功率器件学时32：周二（1~16周）考核方式：
2018-03-11 约4.36千字 58页立即下载
功率半导体器件.PPT *功率半導體器件§１.１晶閘管的結構和工作原理一、晶閘管的結構結構:分為管芯及散熱器兩大部分。方式:分為螺栓型與平板型兩種。*第一章功率半導體器件螺栓型：散熱效果差，用於２００Ａ以下容量的元件；平板型：散熱效果好，用於２００Ａ以上的元件*第一章功率半導體器件內部結構：四層（P-N-P-N）三端（A。K。G）*第一章功率半導體器件二、晶閘管的工作原理正向阻斷，反向阻斷。1、導通條件：1.晶閘管的陽極—陰極之間加正向電壓；2. 門極加正向電壓，使足夠的門極電流Ig流入。關斷條件：陽極電流小於維持電流IH以下並經過一段時間。*第一章功率半導體器件2、內部物理過程：電晶體的集電極電流為另一名
2025-06-11 约2.23千字 23页立即下载
第2章 半导体器件及其基本应用电路.pdf 第二章半导体二极管及其基本应用电路 2.1 引言 2.2 半导体基础知识 2.3 PN结 2.4 半导体二极管 2.5 稳压二极管 2.2 半导体基础知识一、什么是半导体导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。绝缘体－
2017-09-15 约1.34万字 32页立即下载
SiC新型半导体器件及其应用.pdf 年月西安电子科技大学学报（自然科学版） !!*3G8-!! 第卷第期 !+!$%’()*%+,-.-)((-/0’!-12RA-!+2-! !#新型半导体器件及其应用 张进城，郝跃，赵天绪，王剑屏（西安电子科技大学微电子研究所，陕西西安,#,#）摘要：给出半导体分立器件与集成电路的研究现状，分析了制约半导体器件发展的主要问题， ./0./0 同时给出了./0分立器件与集成电路的应用现状，并对其应用前景进行了展望- 关键词：分立器件；集成电路；高温；大功率 ./0./0 中图分类号：文献标识码：文章编号：（） 12))3##$!*!!!$#(,$% !#$%’()*+’,)-%./-0’#)
2024-09-16 约3.07万字 8页立即下载
功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113394204 B (45)授权公告日 2022.07.15 (21)申请号 202010166471.5 H01L 23/31 (2006.01)
2023-06-20 约7.26千字 6页立即下载