一种单晶向、柱状大晶粒的铸造多晶硅的制备方.doc
文本预览下载声明
显示全部
文档详情
相似文档
-
单晶硅与多晶硅.ppt
近年来，在中央政府大力推广新能源政策的支持下，各地方省份也是积极跟进，培养优势产业。江西省抓住机遇，凭借粉石英（硅材料主要原料）储量全国第一的资源优势，出台多方面措施保障光伏产业发展。短短3、4年间，使得一大批光伏产业上下游项目迅速在江西集聚，成为我国重要的光伏产业基地。以新余为主产地、以赛维LDK和盛丰能源为核心企业的产业带具有较强的生产能力，初步建立了从硅料、硅片到太阳能电池组件及配套产品的完整产业链，拥有了对外合作的有效途径和一批关键人才，在国内已具有较明显的规模优势和市场竞争力。 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司是世界规模最大的太阳能多晶硅片
-
【精品】课件---硅片制备--多晶硅铸锭炉和单晶炉2.ppt
二、多晶硅铸锭炉 1.多晶硅锭生长方法 根据生长方法的不同，多晶硅可分为等轴晶、柱状晶。通常在热过冷及自由凝固的情况下会形成等轴晶，其特点是晶粒细，机械物理性能各向同性。 如果在凝固过程中控制液固界面的温度梯度，形成单方向热流，实行可控的定向凝固，则可形成物理机械性能各向异性的多晶柱状晶，太阳电池多晶硅锭就是采用这种定向凝固的方法生产的。 在实际生产中，太阳电池多晶硅锭的定向凝固生长方法主要有浇铸法、热交换法（ HEM ）、布里曼（ Bridgeman）法、电磁铸锭法，其中热交换法与布里曼法通常结合在一起。 1.1浇铸法 浇铸法将熔炼及凝固分开，熔炼在一个石英砂炉衬的感应炉中进行，熔融的硅液浇
-
多晶硅的制备单晶硅制备单晶硅性能测试单晶硅加工课件.ppt
第一章硅材料及衬底制备
本章重点:
1半导体材料的主要特点
2硅的晶体结构
3硅单晶材料的加工制造过程
4直拉法生长单晶过程
5.集成电路的发展对硅片的要求
半导体材料
目前用于制造半导体器件的材料有:
元素半导体(siGe)
化合物半导体(GaAsInSb锑化铟)
本征半导体:
不含任何杂质的纯净半导体,其纯度在9999999%
(8~10个9)。
掺杂半导体:
半导体材料对杂质的敏感性非常强,例如在S中掺
入千万分之一的磷(P)或者硼(B),就会使电阻
率降低20万倍。
硅的共价键结构
7
8§
共价键共
用电子对
+4表示除
去价电子
后的原子
y9
形成共价键后,每个原子的最外层电
子
-
《铸造多晶硅》课件.pptx
《铸造多晶硅》课件概述本课件将全面介绍多晶硅的定义及特性、制备工艺流程、原料选择和准备、熔炼和铸造、切割和抛光、检测和筛选等关键环节。同时还将分析多晶硅在光伏、半导体等领域的应用,探讨其市场现状和发展趋势。saby
多晶硅的定义及特性多晶硅的定义多晶硅是通过化学气相沉积法或冶金工艺制得的高纯度的硅材料,由许多微小的硅晶粒组成,具有较好的导电性和耐高温性能。多晶硅的特性多晶硅具有晶粒结构细密、杂质含量低、机械强度高等特点,是制造高性能太阳能电池和集成电路的理想原料。多晶硅的应用多晶硅广泛应用于光伏发电、半导体制造、电子元器件等领域,是当今高科技产业的关键基础材料。
多晶硅的制备工艺流程原料制备从
-
铸造多晶硅的吸杂.pdf
( )
第 5 卷第 6 期 江 南 大 学 学 报 自 然 科 学 版 Vol . 5 No . 6
2006 年 12 月 Journal of Southern Yangtze University( Natural Science
-
一种多晶硅切方机单晶硅加工工件.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213137349 U
(45)授权公告日 2021.05.07
(21)申请号 202021170925.8
(22)申请日 2020.06.20
(73)专利权人 龙双权
地址 45
-
《多晶硅加工成单晶硅棒》.doc
多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种： CZ（Czochralski）法 FZ（Float-Zone Technique）法 目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。 目前国内主要采用CZ法 CZ法主要设备：CZ生长炉 CZ法生长炉的组成元件可分成四部分 （1）炉体：包括石英坩埚，
-
单晶硅和多晶硅的区别..doc
单晶硅和多晶硅的区别
一 概述
当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。
多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。
单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。 多晶硅的生产工艺主要由高纯石英（经高温焦碳还原）→工业硅（酸洗）→硅粉（加HCL）→SiHCL3（经过粗馏精馏）
-
单晶硅与多晶硅的区别 单晶硅.doc
单晶硅与多晶硅的区别 单晶硅
导读：就爱阅读网友为您分享以下“单晶硅”资讯，希望对您有所帮助，感谢您对92的支持!
硅单晶与宽禁带材料电力电子器件性能对比及其最新发展动态
硅单晶 单晶硅是硅的单晶体,具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料，主要用于制作半导体元件。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。纯度要求高，用于制
-
T_NXCL 015—2022_硅部件用柱状多晶硅.pdf
ICS29.045
CCSH82
NXCL
宁夏材料研究学会团体标准
T/NXCL015—2022
台
平
息
硅部件用柱状多晶硅
信
Columnarpolysiliconforsiliconparts
准
标
体
团
国
全
2022-12-2发布2022-12-2实施
宁夏材料研究学会 发布
T/NXCL015—2022
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
台
起草。
本文件由宁夏材料研究学会提出。
本文件由宁夏材料研究学会归口。
本文件起草单位：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司、北方民
平
-
多晶铸锭过程中的晶粒控制提高多晶硅片效率的方法.doc
Journal?? of?? Crystal?? Growth?? ]?? ( ]]]] )?? ]]] – ]]]
1
3
5
7
9
11
Contents?lists?available?at? SciVerse? ScienceDirect
Journal?of?Crystal?Growth晶体生长杂志
journal?homepage:? /locate/jcrysgro
Grain?control?in?directional?solidi?cation?of?photovoltaic?silicon光伏硅材料定向凝固中的晶粒控制
13
15
1
-
一种化学气相沉积法制备多晶硅靶材的装置.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210314563 U
(45)授权公告日
2020.04.14
(21)申请号 20192
-
多晶硅（硅单质的一种）被称为微电子大厦的基石,制备.doc
多晶硅（硅单质的一种）被称为“微电子大厦的基石”，制备中副产物以SiCl4为主，它环境污染很大，能遇水强烈水解，放出大量的热。研究人员利用SiCl4水解生成的盐酸和钡矿粉（主要成分为BaCO3，且含有铁、镁等离子），制备BaCl2．
已知：①常温下Fe3+、Mg2+完全沉淀的PH分别是3.4、12.4
②BaCO3的相对分子质量是197；BaCl2．．．（）（）
-
一种有机硅单体制备方法及系统、多晶硅系统.pdf
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114573629 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202011371742.7 B01J 8/00 (2006.01)
-
一种回收利用硅泥制备多晶硅锭的方法.pdf
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 114540951 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 202210171116.6 C02F 1/56 (2006.01)
(22)申请日 2022.02.