碳化硅腐蚀炉炉体及碳化硅腐蚀炉.pdf

碳化硅_SiC_基材料的高温氧化及腐蚀_潘牧.pdf 12 2 腐蚀科学与防护技术 Vol. 12 No. 2 2000 03 CORROSION SCIENCE AND PROTECTION TECHNOLOGY Mar. 2000 ( SiC) * 潘牧南策文 ( 430070) SiC , SiC , SiC , .

2017-06-11 约2.41万字 6页立即下载

SiC碳化硅.ppt 碳化硅 Silicon carbide /Carborundum 目录 1.SiC的结构 2.SiC的性质与应用 3.SiC的制备技术 4.SiC当前的研究情况结构 碳化硅存在着约250种结晶形态。由于碳化硅拥有一系列相似晶体结构的同质多型体使得碳化硅具有同质多晶的特点。地球上的碳化硅（莫桑石）非常稀有但在宇宙空间中却相当常见。宇宙中的碳化硅通常是碳星周围的宇宙尘埃中的常见成分。在宇宙和陨石中发现的碳化硅几乎无一例外都是β相晶形的。 (α) 结构 α-碳化硅(α-SiC)是这些多型体中最为常见的，它是在大于1700°C的温度下形成的，具有类似纤锌矿的六方晶体结构。

2016-12-04 约小于1千字 8页立即下载

碳化硅的用途.doc 1碳化硅的用途有色金属冶炼工业的应用利用碳化硅具有耐高，强度大，导热性能良好，抗冲击，作高间接加热材料，如坚罐蒸馏炉。精馏炉塔盘，铝电解槽，铜熔化炉内衬，锌粉炉用弧型板，热电偶保护管等。 2、钢铁行业方面的应用利用碳化硅的耐腐蚀。抗热冲击耐磨损。导热好的特点，用于大型高炉内衬提高了使用寿命。 3、冶金选矿行业的应用 碳化硅硬度仅次于金刚石，具有较强的耐磨性能，是耐磨管道、叶轮、泵室、旋流器，矿斗内衬的理想材料，其耐磨性能是铸铁．橡胶使用寿命的5—20倍，也是航空飞行跑道的理想材料之一。 4、建材陶瓷，砂轮工业方面的应用利用其导热系数。热辐射，高热强度大的特性，制造薄板窑具

2018-06-18 约7.1千字 7页立即下载

张波—碳化硅.ppt 演讲者：张波 2012年11月20日 碳化硅SiC 碳化硅 碳化硅俗称金刚砂，又称碳硅石，是一种典型的共价键的化合物；电负性：△x=0.7,离子键12%，共价键性很强；密度：3.16~3.2g/cm3 ；结构单元：均由SiC四面体堆积而成（硅原子处于中心，周围是碳）; 常见的碳化硅结构：a、6H、15R、4H和β型碳化硅（H和R代表六方和斜方六面型式，H和R之前的数字表示沿c轴重复周期的层数）； β-SIC (面心立方晶系)和α-SIC (六方晶系) ; β-SIC (面心立方晶系)和α-SIC (六方晶系) 。β-SIC 为低温稳定型，α-SIC为高温稳定型，转变温度2100℃

2017-11-09 约3.29千字 19页立即下载

从石墨烯到碳化硅：超薄碳化硅片.doc 从石墨烯到碳化硅：超薄碳化硅片 Sakineh ChabiHong Chang，Yongde Xia and Yanqiu Zhu 摘要：本研究提出了一种通过无催化剂碳热法和超声处理制备的新型超薄SiC结构的方法。我们已经发现，超轻3D石墨烯泡沫和SiO在高温下反应生成复杂的SiC结构包括传统1D纳米线覆盖的3D SiC泡沫。剥离后发现3D SiC被确定为由2D纳米片组成。通过光学显微镜，SEM，EDS，TEM，STEM，AFM和拉曼对得到的新型二维SiC纳米片进行研究，证实了高度结晶的结构特征。 AFM结果显示纳米片的为2μm，平均厚度为2-3nm。这种新的SiC结构不仅可以实现SiC在

2017-08-25 约7.98千字 9页立即下载

碳化硅功率器件.doc WORD格式可编辑专业技术知识共享 碳化硅功率器件??? ??? 张玉明张义门??? 西安电子科技大学微电子所（西安 710071）??? 1 引言[1,2,3]：??? 目前几乎所以的功率系统中都采用硅器件,毫无疑问成熟的硅工艺技术是硅器件的最大的优势。然而硅器件的功率性能将不会有太大的提高，这是因为硅器件的电特性已接近材料物理特性的极限。首先，硅低的击穿电场意味着在高压工作时需要采用厚的轻掺杂层，这将引起较大的串联电阻，特别时对单极器件尤其如此。为了减少正向压降，电流密度必须保

2018-12-26 约8.18千字 8页立即下载

碳化硅薄膜应用.ppt 关于碳化硅薄膜应用第1页，共10页，星期日，2025年，2月5日碳化硅薄膜应用半导体材料的发展史中，一般将si，Ge称为第一代电子材料，GaAs，Inp,InAs及其合金等称为第二代电子材料，而将宽带高温半导体SiC，GaN，AiN，金刚石等称为第三代半导体材料。随着科学技术的发展，对能在极端条件下工作的电子器件的需求越来越迫切，常规半导体如Si，GaAs已面临严峻挑战，发展带宽隙半导体（Eg2.3Ev)材料已成为当务之急。SiC是第三代半导体材料的核心之一。第2页，共10页，星期日，2025年，2月5日SiC的优点：带隙宽，热导率高，电子饱和漂移速率大，化学稳定性好等，非常适于制作高温，高频

2025-03-01 约1.24千字 10页立即下载

关于碳化硅的综述.doc 经济管理学院学院材料化学关于碳化硅学号：专业学生姓名：教师：2011年月 碳化硅性质指标性质指标摩尔质量/(g/mol) 颜色 ? 密度/(g/cm3) 40.097 纯SiC为黄色，添加B、N、Al为棕色 a-SiC? 3.217g/cm3 b-SiC? 3.215g/cm3 德拜温度/K a-SiC? 1200 b-SiC? 1430 能隙/eV a-SiC（6H） 2.86 b-SiC?? 2.60 超导转变温度/K 5 摩尔热容/[J/(mol·K)] a-SiC? 27.69 b-SiC? 28.63 弹性模量/GPa 293K为475 1

2017-12-29 约小于1千字 6页立即下载

碳化硅薄膜应用.ppt 关于碳化硅薄膜应用碳化硅薄膜应用半导体材料的发展史中，一般将si，Ge称为第一代电子材料，GaAs，Inp,InAs及其合金等称为第二代电子材料，而将宽带高温半导体SiC，GaN，AiN，金刚石等称为第三代半导体材料。随着科学技术的发展，对能在极端条件下工作的电子器件的需求越来越迫切，常规半导体如Si，GaAs已面临严峻挑战，发展带宽隙半导体（Eg2.3Ev)材料已成为当务之急。SiC是第三代半导体材料的核心之一。第2页,共10页，星期六，2024年，5月SiC的优点：带隙宽，热导率高，电子饱和漂移速率大，化学稳定性好等，非常适于制作高温，高频，抗辐射，大功率和高密度集成的电子器件。利用其特有

2024-11-20 约2.2千字 10页立即下载

碳化硅培训课件.ppt 主讲——胡风伟对生产工艺的情况不了解，造成问题发现不及时、不准确；数据上报中，原料、产量、产品指标有异常不进行分析，落实不到位。当设备出现故障时没有分析影响生产的环节问题；管理人员责任心、职业素质和业务能力参差不齐，凸显管理执行力落实不到位；主动学习的意识和积极性不高，生产现场问题掌握不及时；解决不及时 1893年艾奇逊发表了第一个制碳化硅的专利，该专利提出了制取碳化硅的工业方法，其主要特点是，在以碳制材料为炉芯的电阻炉中通过加热二氧化硅和碳的混合物，使之相互反应，从而生成碳化硅，到1925年卡普伦登公司，又宣布研制成功绿碳化硅。我国的碳化硅于1949年6月由赵广和

2017-11-08 约1.05万字 41页立即下载

碳化硅项目环评.doc 建设项目基本情况 碳化硅属于非金属，不在石墨、碳素之列项目名称 ***县碳化硅微粉有限责任公司碳化硅微粉生产线建设项目建设单位 ***县碳化硅微粉有限责任公司法人代表联系人通讯地址吉林省（自治区、直辖市） **市（县）联系电话 0439-3608188 传真邮政编码建设地点 **市***县八宝村立项审批部门批准文号建设性质新建√ 改扩建技改行业类别及代码 C20 占地面积（平方米） 31378 绿化面积（平方米） 10000 总投资（万元） 11000 其中环保投资（万元） 133 环保投资占总

2016-08-12 约3.97万字 60页立即下载

《碳化硅陶瓷晶舟》.pdf ICS81.060.30SDAMA CCSQ32 团体标准 T/SDAMA0082025 — 碳化硅陶瓷晶舟 Siliconcarbideceramicwaferboat 2025-03-17发布2025-03-17实施山东省新材料产业协会发布 T/SDAMA008—2025 前言本文件参照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》，GB/T20001.10 《标准编写规则第10部分：产品标准》给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由山东省新材料产业协会提出。本文件由山东省新材料产业协会

2025-03-15 约1.21万字 11页立即下载

碳化硅衬底上的电接触.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN110544626A (43)申请公布日 2019.12.06 (21)申请号20191

2024-04-01 约1.63万字 13页立即下载

碳化硅行业分析.pptx 碳化硅行业分析汇报人：XXX2025-X-X 目录1.行业概述 2.市场分析 3.竞争格局 4.产业链分析 5.政策法规 6.技术发展 7.投资分析 8.未来展望 01行业概述 碳化硅行业背景行业发展历程碳化硅作为一种重要的半导体材料，其发展历程可以追溯到20世纪初。经过几十年的发展，碳化硅行业已逐渐形成规模，全球市场规模已超过数十亿美元。从最初的单一产品发展到现在的多种产品线，碳化硅在半导体领域的应用也日益广泛。产业链布局碳化硅产业链主要包括原材料、制备、器件和封装等环节。全球范围内，产业链布局较为集中，主要分布在亚洲、欧洲和美国等地。中国作为全球最大的碳化硅消费国，其产业链布局正在不断完善

2025-03-06 约5.94千字 35页立即下载

碳化硅纤维简介.pptx 碳化硅纤维简介汇报人：XXX2025-X-X 目录1.碳化硅纤维概述 2.碳化硅纤维的制备工艺 3.碳化硅纤维的结构与性能 4.碳化硅纤维的应用实例 5.碳化硅纤维的市场与发展趋势 6.碳化硅纤维的生产与质量控制 7.碳化硅纤维的挑战与机遇 01碳化硅纤维概述 碳化硅纤维的定义与特性定义概述碳化硅纤维是一种以碳化硅为原料，通过化学气相沉积或熔融法等工艺制备而成的无机非金属纤维。其具有高熔点、高强度、高耐磨等特性，广泛应用于航空航天、汽车制造等领域。结构特点碳化硅纤维的微观结构通常呈纤维状，具有高强度、高模量、耐高温和良好的抗氧化性能。其纤维直径一般在5-10微米之间，长度可达到几毫米到几十毫米

2025-05-10 约5千字 31页立即下载