K4Sn3Se8的固相合成、晶体结构和反射光谱研究-北京化工大学学报.PDF
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第 30 卷 第 4 期 北 京 化 工 大 学 学 报 Vol. 30 , No. 4
2003 年 JOURNAL OF BEIJ IN G UN IV ERSIT Y OF CHEMICAL TECHNOLO GY 2003
K Sn Se 的固相合成、晶体结构和反射光谱研究
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王志霞 郭洪猷
(北京化工大学理学院 ,北京 100029)
摘 要 : 采用反应性熔盐法 ,通过中温固相反应在 500 ℃下合成晶体 K Sn Se 。该晶体属正交晶系 ,空间群 Ccca ,
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晶胞参数: a = 0 821 15 ( 6) nm , b = 2 779 0 (2) nm , c = 0 818 65 ( 6) nm , V = 1 868 2 (2) nm3 , Z = 4 。K Sn Se 由
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4 + ( )
[ Sn Se ] 三聚体负离子和 K 正离子组成。漫反射光谱研究表明该材料能隙 Eg 为 2 6 eV ,属于半导体 ,对太阳
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能具有选择吸收的特性。
关键词 : K Sn Se ; 固相合成; 晶体结构;漫反射光谱
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中图分类号: TQ125
引 言 1 实验部分
十多年来 , 多元金属硫族化合物 , 如三元的 11 K Sn Se 的中温固相合成
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A M Q 和四元的 A M M ′Q 一直是固体化学的 按文献所用的方法制得前驱体 K Se [6 ] 。在无
x y z x y y ′ z 2 4
一个非常活跃的研究领域 ,其中 A 为碱金属 ,M 、M ′ 水无氧手套箱中称量 K Se 98 5 mg ,Sn 粉 119 mg
2 4
[1 ] ( ) (
为不相同的其它金属 ,Q 为 S 、Se 或 Te 。自Be 分析纯 ,北京双环化学试剂厂 ,Se 粉 79 2 mg 分
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