配位多面体生长机理模型与晶体的生长习性.pdf

中 旧 种 李 辑 第 卷 第 期 氏 年 月 配位 多面体 生 长 机理模型 与 晶体 的生 长 习性 补 李汉 军 施 尔畏 殷之 文 国 学 上海硅酸盐研 所 , 上海 中 科 院 究 、 面 互 配 一 配 摘要 从 阴 阳离子在界 上 相 位 的角度介 绍 种新 的生长 机理 模 型 — 位 多面体 生长机理模 型 指 出了生长 基元 进 入 晶格 的驱 动力为 离子 之 间 的静 电引 , 力 其相对大小 由界面上 的离子络合母 相 中一 个 离子 后 的静 电键 强近 似测定 讨论 , , , 了 和 晶体 的生长 习性 提 出 了一 种新 的生长 习性规则 即 当晶体 的生长速度 由台阶产 生速度决定 时, 晶体 的生长 习性与 晶体 结构 中配 位 能力最 小 的