温度场分布对氮化铝晶体生长习性的影响Effectof-中国科技论文在线.PDF
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中国科技论文在线
29 6 Vol. 29 No. 6
第 卷 第 期 深圳大学学报理工版
2012 11 JOURNAL OF SHENZHEN UNIVERSITY SCIENCE AND ENGINEERING Nov． 2012
年 月
【 / Optoelectronic Engineering 】
光电工程
温度场分布对氮化铝晶体生长习性的影响
， ， ， ，
武红磊 郑瑞生 闫 征 李萌萌 郑 伟
， ， ， 518060
深圳大学光电工程学院 光电子器件与系统教育部重点实验室 广东省光电子器件与系统重点实验室 深圳
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摘 要 研究升华法制备氮化铝晶体过程中 生长区域温度场分布对晶体生长习性的影响 结果表明
， c ， c ; ，
当升华区与结晶区之间的温差较大时 氮化铝晶体的生长方向为 轴方向 显露面为 面 反之 温差较
小时， c a ， m ． ，
氮化铝晶体的生长方向为与 轴垂直的 轴方向 显露面为 面 同时 生长区域温度场分布还影
． ，
响晶体的生长尺寸和质量 在自行设计的双区电阻加热晶体生长装置中 通过精确控制升华区与结晶区之
， m ， ．
间的温度场 实现厘米级 面非极性氮化铝单晶体的制备 并对样品进行测试分析
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关键词 半导体材料 氮化铝 升华法 非极化 温度场 晶体生长
中图分类号:O 782 文献标识码:A doi :10 ． 3724 / SP． J． 1249 ． 20 12 ． 06487
Effect of temperature distribution
on growth habit of AlN crystal
WU Hong-lei ，ZHENG Rui-sheng ，YAN Zheng ，
LI Meng-meng ，and ZHENG Wei
College of Optoelectronic Engineering ，Key Laboratory of Optoel
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