小信号模型分析法微变等效电路法.ppt

上页 下页 返回 模拟电子技术基础 一 建立小信号模型的意义 由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型，就是在一定的条件下（工作点附近）将非线性器件做线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。 3.4 小信号模型分析法（微变等效电路法） BJT – vce b e c 晶 管 体 + ic vbe ib + – 线性二端口网络 线 性 网 络 vce + – + – vbe ic ib 等效 当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。 二 建立小信号模型的思路 3.4.1 H参数的引出 在小信号情况下，对上两式取全微分得 对于BJT双口网络，输入输出特性曲线如下： vBE = f (iB，vCE) iC = g (iB ，vCE) – vce b e c + ic vbe ib + – H小信号模型 + _ b e c + _ hfeib + _ hie vbe ib hrevce 1/hoe ic vce 输出端交流短路时的输入电阻； 输出端交流短路时的正向电流传输比或电流放大系数； 输入端电流恒定（交流开路）的反向电压传输比 输入端电流恒定（交流开路）时的输出电导。 其中： 四个参数量纲各不相同，故称为混合参数（H (hybrid)参数）。 vbe= hieib+ hrevce ic= hfeib+ hoevce 1 模型的简化 hfeib ic vce ib vbe hrevce hie hoe 即 rbe= hie ? = hfe ur = hre rce= 1/hoe 一般采用习惯符号 BJT的H参数模型为 ? ur很小，一般为10-3?10-4 ， rce很大，约为100k?。故 一般可忽略它们的影响， 得到简化电路 2 H参数的确定 ? 一般用测试仪测出； rbe 与Q点有关，可用图示仪测出。 也用公式估算 rbe rbe= rb + (1+ ? ) re rb为基区电阻，约为200? ， re为发射结电阻。 (T=300K) 2．H参数的应用 应用小信号模型分析下图所示的基本放大电路。 交流通路 (1) 画出交流通路 (2) 画出微变等效电路 b c e 将BJT微变等效 放大电路的微变等效电路 (3) 放大电路的主要性能指标的计算 a. 电压增益 由图可知 b c e · · · · · vo与vi相位相反 故 b c e b. 输入电阻Ri 由图可知 Ri b c e 通常 ，故 Ri b c e c. 输出电阻Ro 由定义 画出求输出电阻的等效电路 b c e ii Ro b c e 求输出电阻的等效电路 由图可知 故 b c e ii Ro 当 时 (a) 晶体管的IBQ，ICQ 及 VCEQ值； (b) 放大电路的AV，Ri， Ro。 [解] (a) 画出放大电路的直流通路 [例] 在图示电路中，已知：VCC=12 V， RC=2 kW，RB=360 kW；晶体管T为锗管，其 , =b =60 , C1=C2=10 mF，RL=2 kW。试求： 由图可知 直流通路 上页 下页 返回 模拟电子技术基础