文档详情

第六章 放大电路基础-3课件.ppt

发布:2018-06-15约7.22千字共84页下载文档
文本预览下载声明
为保证晶体功率管的安全和输出功率的要求,电源及输出功率管参数的选择原则如下: 在栅源间加负电压VGS ,令VDS =0 ①当VGS=0时,为平衡PN结,导电沟道最宽。 (2)漏源电压对沟道的控制作用 (1)输出特性曲线: ID=f( VDS )│VGS=常数 场效应管的主要参数 (1) 开启电压VT VT 是MOS增强型管的参数,栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 双极型和场效应型三极管的比较 增强型N沟道MOS管的特性曲线 转移特性曲线 0 ID UGS VT 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS0 场效应管的交流小信号模型 其中:rgs是输入电阻,理论值为无穷大。 gmvgs是压控电流源,它体现了输入电压对输出电流的控制作用。称为低频跨导。 rd为输出电阻,类似于双极型晶体管的rce。 rDS = ? UDS / ? ID 很大,可忽略。 压控电流源 S G D id 跨导gm = ? ID / ? UGS 场效应管的微变等效电路 G S D 跨导 漏极输出电阻 uGS iD uDS 很大, 可忽略。 场效应管的微变等效电路为: G S D uGS iD uDS S G D ugs gmugs uds S G D rDS ugs gmugs uds (1) 静态:适当的静态工作点,使场效应管工作在恒流区,场效应管的偏置电路相对简单。 (2) 动态:能为交流信号提供通路。 组成原则: 静态分析: 估算法、图解法。 动态分析: 微变等效电路法。 分析方法: 直流偏置电路:保证管子工作在饱和区,输出信号不失真 场效应管放大电路 自偏压电路 vGS vGS =- iDR 注意:该电路产生负的栅源电压,所以只能用于需要负栅源电压的电路。 计算Q点:VGS 、 ID 、VDS vGS = VDS =VDD- ID (Rd + R ) 已知VP ,由 - iDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS 分压式自偏压电路 VDS =VDD-ID(Rd+R) 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS 计算Q点: 已知VP ,由 该电路产生的栅源电压可正可负,所以适用于所有的场效应管电路。 场效应管的共源极放大电路 1、静态分析 求:UDS和 ID。 IG=0 UDD=20V uo RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150k 50k 1M 10k 10k G D S 10k D1 D2 ui +USC RL T1 T2 T3 C R A Re1 Re2 实用OTL互补输出功放电路 调节R,使静态UA=0.5USC D1 、 D2使b1和b2之间的电位差等于2个二极管正向压降,克服交越失真 Re1 、 Re2:电阻值1~2?,射极负反馈电阻,也起限流保护作用 b1 b2 场效应管与晶体管不同,它是多子导电,输入阻抗高,温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 §6.4 场效应管及其放大电路 Joint-Field-Effect-Transistor Metal-Oxide-Semiconductor N 基底:N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 结构 结型场效应管 导电沟道 drain electrode n.漏极 grid n.栅极 source n.源极 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S ②当│VGS│↑时,PN结反偏,形成耗尽层,导电沟道变窄,沟道电阻增大。 夹断电压Up: 使导电沟道完全合拢(消失)所需要的栅源电压VGS。 工作原理(以N沟道为例) ③当│VGS│到一定值时 ,沟道会完全合拢。 (1)栅源电压对沟道的控制作用 ②VDS↑→ID ↑ →靠近漏极处的 耗尽层加宽,沟道变 窄,呈楔形分布。 预夹断前, VDS↑→ID ↑。 预夹断后, VDS↑→ID 几乎不变。 ④VDS再↑, 预夹断点下移。 ①当VDS=0时, ID=0。 在漏源间加电压VDS ,令VGS =0 由于VGS =0,所以导电沟道最宽。 (3)栅源电压VGS和漏源电压VDS共同作用 ③当VDS ↑,使VGD=VG S- VDS=VP时,在靠漏极处夹断——预夹断。 结型场效应三极管的特性曲线 四个区: ①
显示全部
相似文档