模拟电子技术基础试卷-第一章复习.pdf

题目部分，(卷面共有67题,205.0分,各大题标有题量和总分) 一、选择题(40小题,共132.0分) (4分)[1]晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射 为____，集电结为____。 A、正向偏置， B、反向偏置 ， C、零偏置 (2分)[2]1。NPN和PNP型晶体管的区别取决于____ A、半导体材料硅和锗的不同， B、掺杂元素的不同 ， C、掺杂浓度的不同， D、P区和N区的位置不同。 2．N沟道和P沟道场效应管的区别在于____ A、衬底材料前者为硅，后者为锗， B、衬底材料前者为 N型，后者为 P型， C、导电沟道中载流子前者为 电子，后者为空穴。 (2分)[3]晶体管工作在放大区时，发射结为____，流过发射结的主要是____；集电结为____， 流过集电结的主要是____。 A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置， D、扩散电流， E、漂移电流 (3分)[4]硅二极管的正向电压从0.65V增大10％，则流过的正向电流增大____。 A、约10％， B、小于10％ ， C、大于10％ (1分)[5]N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子， B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等 ， D、五价元素，如磷等 (2分)[6]普通小功率硅二极管的正向导通压降约为____，反向电流一般___；普通小功率锗二 极管的正向导通压降约为____，反向电流一般____。 A、0.1～0.3V， B、0.6～0.8V ， C、小于1μ A ， D、大于1μ A (2分)[7]当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 ；当PN结外加反向 电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。 A、大于， B、小于， C、等于， D、变宽， E、变窄， F、不变 (3分)[8]某硅二极管在正向电压 时，正向电流 。当 增加10％（即 U 0.6V I 10mA U D D D 增大到0.66V）时，则 约为____。I D A、10mA ，B、11mA ，C、20mA ，D、100mA (4分)[9]随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____，而多数载流子的浓度 ____。 A、明显增大， B、明显减小， C、变化较小 (2分)[10]在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保 持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大 ， B、减小， C、不变 0.1 (2分)[11]设某二极管反向电压为10V时，反向电流为 μA 。在保持反向电压不变的条件 下，当二极管的结温升高10℃，反向电流大约为____。 、 μ ， 、 μ ， 、 μ ， 、 μ A 0.05 A B 0.1 A C 0.2 A D 1 A 0.1 (2分)[12]设某二极管反向电压为10V时，反向电流为 μA。在保持反向电压不变的条件下， 当二极管的结温降低10℃，反向电流大约为____。 、 μ ， 、 μ ， 、 μ ， 、 μ A 0.01 A B 0.05 A C 0.1 A D 0.2 A (4分)[13]在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，U 0.7V 。 D 1．当V调到6V，则I将为____。 A、1mA， B、