模拟电子技术第一章的.ppt

1 常用半导体器件;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;1.1.1 本征半导体intrinsic semiconductor;1.1.1 本征半导体;1.1.1 本征半导体;1.1.2 杂质半导体doped semiconductor;1.1.2 杂质半导体doped semiconductor;1.1.2 杂质半导体doped semiconductor;1.1.3 PN结的形成;少子漂移;1.1.3 PN结的单向导电性;1.1.3 PN结的单向导电性;1.1.3 PN结的单向导电性;1.1.3 PN结的伏安特性; 根据理论分析：; 当外加电压发生变化时，耗尽层的宽度要相应地随之改变，即PN结中存储的电荷量要随之变化，就像电容充放电一样。;(2) 扩散电容Cd;PN结总电容C包括Cd 和Cb两部分 正偏时，R小，C大（主要是扩散电容CD） 反偏时，R大，C小（主要是势垒电容CB）;1.2.1 半导体二极管的结构;1.2.1 半导体二极管的结构;(3) 平面型二极管; 1.2.2 半导体二极管的V—I特性曲线;1.2.3 二极管的主要参数;半导体二极管的型号;1.2.4 二极管基本电路及其分析方法;1.2.4 二极管V-I特性的建模;1.2.4 二极管V-I特性的建模;1.2.4 二极管V-I特性的建模;1.2.4 二极管V-I特性的建模;二极管的近似分析计算;例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、恒压降模型计算电流I和输出电压uo;（2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和恒压降模型分析电路并画出相应的输出电压波形。;0;习题练习;习题练习;习题练习;习题练习;习题练习; 1.2.5　稳压管; 稳压管的参数主要有以下几项：;4. 电压温度系数 ?U; 2DW7 系列稳压管结构;5. 额定功耗 PZ;VDZ;习题练习;习题练习;习题练习;习题练习;习题练习;　　BJT是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件，又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管;三极管结构示意图和符号　 (a)NPN 型;集电区;(a)平面型(NPN);平面型(NPN)三极管制作工艺;1.3.2　BJT的电流分配与放大作用;三极管内部结构要求：;三极管中载流子运动过程;b;b;三个极的电流之间满足节点电流定律，即;上式中的后一项常用 ICEO 表示，ICEO 称穿透电流。;三极管的电流分配关系;IB/mA -0.001 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05;　　根据 ? 和 ? 的定义，以及三极管中三个电流的关系，可得;放大电路连接方式：共基极、共发射极和共集电极。 共射极电路：发射极为共同端，基极为输入端，集电极为输出端;放大作用：;1.3.3 BJT的特性曲线（共发射极接法）; (2)输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const ; 输出特性曲线可以分为三个区域: ;1.3.4 BJT的主要参数;2、反向饱和电流;3、 极限参数;3. 极间反向击穿电压;习题练习;习题练习;习题练习;只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。;D;P 沟道场效应管;二、工作原理;　　1. 设UDS = 0 ，在栅源之间加负电源 VGG，改变 VGG 大小。观察耗尽层的变化。;　　2. 在漏源极间加正向 VDD，使 UDS 0，在栅源间加负电源 VGG，观察 UGS 变化时耗尽层和漏极 ID 。;G;2. 转移特性;IDSS/V;　　场效应管的两组特性曲线之间互相联系，可根据输出特性用作图的方法得到相应的转移特性。;2. 转移特性;1.4.2　绝缘栅型场效应管;一、N 沟道增强型 MOS 场效应管;2. 工作原理;(2) UDS = 0，0 UGS UT;(4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS UT);D;3. 特性曲线;二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管;N 沟道耗尽型 MOS 管特性;种 类;种 类;场效应管的主要参数;二、交流参数;三、极限参数;1.4.4　场效应管的特点