一种抗变形的显卡集成电路板及制备工艺.pdf
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117812849A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202410204040.1H05K3/34(2006.01)
(22)申请日2024.02.2
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(22)申请日 2020.12.28
(71)申请人 谷原
地址 3100
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(10)申请公布号 CN 114885513 A
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(21)申请号 202210495750.5
(22)申请日 2022.05.09
(71)申请人 深圳市华晶宝丰电子有限公司
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(22)申请日 2020.12.31
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(10)申请公布号 CN 112992886 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 202110181478.9
(22)申请日 2021.02.09
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213028929 U
(45)授权公告日 2021.04.20
(21)申请号 202021195109.2
(22)申请日 2020.06.24
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215A.刻SiO2：在反应室通入CF4，CHF3，C2F6，SF6，C3F8，NF3等气体，产生目前流行用CHF3+Cl2来刻蚀。通入少量4SiO2+4F*（游离基）=SiF4（气）+O2。3F（游离基），于是：6O2可加速反应。126543B.刻铝：可在反应室通入SiCl4,BCl3，CCl4+Cl2，BCl3+Cl2等气体。于是：AL+3Cl*（游离基）=ALCl3（气）。氟化物不行，因不能形成气体排走。注意:刻铝后应立即冲水或在有机溶剂中漂洗,防止氯离子残留腐蚀铝膜.123456C.刻Si3N4：原则上刻SiO2的气体都可刻01020304Si3N4，但发现NF3效果较好。于是：Si3
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南开大学信息技术科学学院
何炜瑜
课程的主要内容
本课程也是从事微电子相关领域（如太阳电池、半导体器件、激
光器、LED和TFT等）的研究和工作的基础课程。
本课程学习的目的
通过学习本课程，可以：
了解并掌握常用的半导体工艺技术；
能够简要叙述集成电路每一个工艺过程；了解基本的集成电路制
备过程；
能够从事半导体工艺相关的工作。
教材与参考书
教材：关旭东，硅集成电路工艺基础，北京大学出版社，2003年
10月。
参考书：
MichaelQuirk,JulianSerda著，韩郑生等译，半导体制造技术
(SemiconductorManufactu