一种抑制闩锁效应的CMOS集成电路芯片及制备工艺.pdf

CMOS集成电路闩锁效应形成机理和对抗措施.doc 目录摘要： 1 0 前言 1 1 闩锁效应产生背景 2 2 CMOS反相器 3 2.1 反相器电路原理 3 2.2反相器工艺结构 3 3 闩锁效应基本原理 4 3.1 闩锁效应简介 4 3.2 闩锁效应机理研究 4 3.3 闩锁效应触发方式 6 4 闩锁措施研究 6 4.1 版图级抗栓所措施 6 4.2 工艺级抗闩锁措施 7 4.3 电路应用级抗闩锁措施 9 5 结论 9 参考文献: 10 CMOS集成电路闩锁效应形成机理和对抗措施摘要： CMOS Scaling理论下器件特征尺寸越来越小，这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。闩锁是CMOS电路结构所固有的寄

2017-08-06 约字 12页立即下载

CMOS集成电路闩锁效应.pdf-温德通-2020年版-机械工业出版社本书意在向从事半导体行业的朋友介绍半导体工艺闩锁效应和ESD保护技术，目的是为了能给业内人士提供简单易懂并且与实际应用相结合的书。本书通过介绍业界的闩锁效应的测试条件和标准，然后依据闩锁效应的测试结果进行物理分析，就是从结果推到原因，从而达到理论与实际相结合，让大家能快速理解发生闩锁效应的原因以及如何预防闩锁效应。之后以ESD的行业测试模型为出发点对ESD进行分析，再根据ESD测试模型来分析和设计ESD保护电路。让大家能快速了解ESD设计的原理以及要求。封面前折页书名页版权页写作缘由与编写过程致谢目录第1章引言1.1 闩锁效应概述1.2

2022-06-06 约字页立即下载

CMOS集成电路闩锁效应形成机理与对抗措施.doc 目录摘要： 1 0 前言 1 1 闩锁效应产生背景 2 2 CMOS反相器 3 2.1 反相器电路原理 3 2.2反相器工艺结构 3 3 闩锁效应基本原理 4 3.1 闩锁效应简介 4 3.2 闩锁效应机理研究 4 3.3 闩锁效应触发方式 6 4 闩锁措施研究 6 4.1 版图级抗栓所措施 6 4.2 工艺级抗闩锁措施 7 4.3 电路应用级抗闩锁措施 9 5 结论 9 参考文献: 10 CMOS集成电路闩锁效应形成机理和对抗措施摘要： CMOS Scaling理论下器件特征尺寸越来越小，这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。闩锁是CMOS电路结构所固有的

2015-12-13 约8.05千字 12页立即下载

CMOS集成电路闩锁效应形成机理和对抗措施.doc 目录摘要： 1 0 前言 1 1 闩锁效应产生背景 2 2 CMOS反相器 3 2.1 反相器电路原理 3 2.2反相器工艺结构 3 3 闩锁效应基本原理 4 3.1 闩锁效应简介 4 3.2 闩锁效应机理研究 4 3.3 闩锁效应触发方式 6 4 闩锁措施研究 6 4.1 版图级抗栓所措施 6 4.2 工艺级抗闩锁措施 7 4.3 电路应用级抗闩锁措施 9 5 结论 9 参考文献: 10 CMOS集成电路闩锁效应形成机理和对抗措施摘要： CMOS Scaling理论下器件特征尺寸越来越小，这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。闩锁是CMOS电路结构所固

2017-02-08 约8.11千字 11页立即下载

CMOS电路中的闩锁效应.doc 闩锁效应的简介基于CMOS技术的集成电路，是目前大规模(LSI)和超大规模(VLSI)集成电路中广泛应用的一种电路结构，相对于传统的双极型、NMOS和PMOS集成电路而言，其主要的优点是低功耗、较佳的噪声抑制能力、很高的输入阻抗等。虽然CMOS电路具有以上众多优点，然而隐含于体硅CMOS(指在硅衬底上制作的CMOS)结构中的闩锁效应不但是CMOS电路的主要失效机理，也是阻碍CMOS电路集成度提高的主要因素之一。 闩锁效应就是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管（又称寄生可控硅，简称SCR）被触发导通，在电源和地之间形成低阻抗大电流的通路，导致器件无法正常工作，甚至烧毁器件的现象。这种寄生双极

2017-04-27 约1.44千字 3页立即下载

一种抗变形的显卡集成电路板及制备工艺.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117812849A (43)申请公布日2024.04.02 (21)申请号202410204040.1H05K3/34(2006.01) (22)申请日2024.02.2

2024-03-31 约1.25万字 11页立即下载

一种CMOS数字集成电路总剂量效应建模方法及系统.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113341761 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110554445.4 (22)申请日 2021.05.20 (71)申请人西安电子科技大学地址

2023-06-16 约3.41万字 29页立即下载

CMOS电路中的闩锁效应的预防.pdf CMOS电路中的闩锁效应的预防 闩锁效应的抑制措施由以上分析可知，闩锁效应起因于寄生的可控硅结构，且其发生需具备一定的条件，因此只要破坏产生闩锁效应的三个基本条件或其中之一，就能有效地避免闩锁效应的发生，在实际应用中，通常可从版图和工艺等方面采取措施，消除闩锁效应的发生．常用的抑制闩锁效应的方法总结如下：版图设计考虑基本结构改进由闩锁效应发生的条件可知，可以通过降低电流增益的方法抑制闩锁。据此，可以尽可能加大寄生晶体管的基区宽度，即增加N阱到阱外N+扩散区的距离，这样可以降低寄生晶体管的电流增益。防止闩锁效应另外一个较好的办法是减小RS1或者RW2这两个寄生电阻。因为这

2024-12-04 约2.42千字 4页立即下载

《半导体集成电路》课件——CMOS集成电路基本制造工艺.pptx 主讲人：CMOS集成电路基本制造工艺基本制造流程关键步骤什么是CMOS？一 NMOS：负责在电路中传导电流。PMOS：在逻辑上与NMOS相反，用于补偿NMOS的工作。CMOS电路由两种互补的晶体管组成：特点：在切换状态时消耗较低功率。 CMOS电路的基本制造步骤二（一）硅片准备制造CMOS电路需要用到高纯度单晶硅片作为基底。清洗抛光（二）热氧化工艺：生长二氧化硅层硅片氧气高温炉二氧化硅薄膜（纳米图）这层氧化物起到绝缘层的作用，可以隔离栅极与硅片的基底，防止漏电。（三）光刻在硅片上涂上一层光刻胶。通过掩膜版将紫外光照射到光刻胶上，未曝光的部分保留，而曝光的部分被去除。形成晶体管的图案，

2025-04-09 约小于1千字 21页立即下载

CMOS集成电路工艺、版图与元件.ppt 常用集成电阻器基区扩散电阻发射区扩散电阻、埋层扩散电阻基区沟道电阻、外延层电阻离子注入电阻多晶硅电阻、MOS电阻导电层绝缘层氧化膜 p N+ 平板型电容双极集成电路中的MOS电容器铝电极 N-epi tox=100nm时，CA=3.45e-4pF/um2 30pF需约0.1mm2 特点： 1. 单位面积电容值较小 2. 击穿电压BV较高（大于50V）隔离槽 N＋ BV＝EBtox 绝缘层的击穿电场强度（5～10）×106V/cm n 叠式结构电容槽式结构电容氧化膜电容极板金属引线 n DRAM中常用的电容大电容结构 MOS管的电特性描述NMOS器件性能的理想

2018-01-12 约小于1千字 79页立即下载

《一、CMOS集成电路工艺基础》课件.ppt 投影式光刻机 80年代后期出现了Wafer Stepper，10:1或5:1，使芯片加工进入了0.8μm的时代。代表产品有：美国的GCA，日本的Canon，Nikon及荷兰的ASM。另外，美国的KLA更加先进，它带有Mask检查及修正系统。它将Mask上的图形缩小5倍后投影到硅片上，因此，使缺陷缩小很多。它使用的光源仍是紫外线，但是用的是g-line，波长在436nm，可加工：0.8~1.0μm（大生产），0.5~0.8μm（科研）芯片。 90年代对Stepper的改进大致两个方面，一是在光源上：（1）用I-line的紫外线，波长在365nm，可加工0.5~0.6μm的芯片。

2018-09-26 约4.35千字 51页立即下载

cmos集成电路制造工艺分析.ppt CMOS集成电路制造工艺 * * 形成N阱初始氧化淀积氮化硅层光刻1版，定义出N阱反应离子刻蚀氮化硅层 N阱离子注入，注磷 * 形成P阱去掉光刻胶在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化去掉氮化硅层 P阱离子注入，注硼 * 推阱退火驱入去掉N阱区的氧化层 * 形成场隔离区生长一层薄氧化层淀积一层氮化硅光刻场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来反应离子刻蚀氮化硅场区离子注入热生长厚的场氧化层去掉氮化硅层形成多晶硅栅生长栅氧化层淀积多晶硅光刻多晶硅栅刻蚀多晶硅栅 * 形成硅化物淀积氧化层反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层淀积难熔

2018-04-12 约小于1千字 14页立即下载

第三章CMOS集成电路工艺与版图.ppt CMOS工艺与版图;先在硅表面制作一层二氧化硅；然后通过光刻，在二氧化硅上需要扩散掺入杂质的区域开设窗口；最后完成掺杂和金属化等工序，完成芯片的制造。;硅片;定义版图;栅极负责施加控制电压;有源区; 只要源极、漏极以及导电沟道所覆盖的区域称为有源区。芯片中有源区以外的区域定义为场区。; MOS管中电流由源极流向漏极。沟道中电流流过的距离为沟道长度；截面尺寸为沟道宽度。;设计中，常以宽度和长度值的比例式即宽长比（W/L）表示器件尺寸。例：假设一MOS管，尺寸参数为20/5。则在版图上应如何标注其尺寸。;3、图形绘制;英特尔65纳米双核处理器的扫描电镜(SEM

2017-04-26 约1.74千字 62页立即下载

cmos集成电路工艺技术.ppt 集成电路工艺技术讲座第十讲 CMOS集成电路 工艺技术内容（一）CMOS工艺概述（二）2um P阱硅栅CMOS IC工艺流程（三）先进CMOS IC工艺（四）BiCMOS （五）功率MOSFET （六）BCD （一）CMOS工艺概述 MOSFET的开启电压 CMOS倒相器 CMOS结构中的阱 LOCOS技术 MOSFET基本方程线性区和饱和区 VD很小时 VD (VG- Vt） ID＝（Z/L） ?Co{(VG- Vt） VD 其中 Vt= ? 2?qNa（2 ?B ）/Co ＋ 2 ?B VD增加到夹断点时 IDsat＝（Z/2L） ?Co{(VG- Vt

2018-03-20 约3.66千字 70页立即下载

CMOS集成电路的接口电路1.doc CMOS集成电路的接口电路 CMOS集成电路驱动其它器件　 1．CMOS-TTL集成电路的接口由于TTL的低电平输入电流1.6mA，而CMOS的低电平输出电流只有1.5mA，因而一般都得加一个接口电路。这里介绍一种采用单电源的接口电路。在附图1中，门II起接口电路的作用，是CMOS集成电路缓冲/电平变换器，起缓冲驱动或逻辑电平变换的作用，具有较强的吸收电流的能力，可直接驱动TTL集成电路，因而连接简便。但是，使用时需要注意相位问题。电路中CC4049是六反相缓冲/变换器，而CC4050是六同相缓冲/变换器。 2．CMOS-HTL集成电路的接口 HTL集成电路是标准的工业集成电路

2018-03-03 约2.12千字 4页立即下载