APCVD法多晶硅薄膜的制备及其性能研究的开题报告.docx

APCVD法多晶硅薄膜的制备及其性能研究的开题报告

一、研究背景与意义：

作为一种常见的材料，多晶硅在太阳能电池、显示屏等领域有着广泛的应用。而制备多晶硅薄膜的方法中，化学气相沉积技术（CVD）是其中常用的方法之一。而在CVD的不同变种中，气相掺杂化学气相沉积技术（APCVD）是一种较为高效且成本较低的方法。

然而，在APCVD方法中，多晶硅薄膜的制备过程中存在一系列问题，如硅源易分解，生长速率低等。因此，对APCVD方法制备多晶硅薄膜的性能进行研究，对优化生长过程、提高多晶硅薄膜品质具有重要意义。

二、研究目的与内容：

本研究旨在通过APCVD来制备多晶硅薄膜，并研究其性能。具体研究内容如下：

1.确定多晶硅薄膜的最佳生长条件，如温度、压力、气流速度等参数。

2.对多晶硅薄膜的结构、晶体品质、厚度等进行表征和分析。

3.探究多晶硅薄膜在太阳能电池、显示器等应用领域的性能。

三、研究方法和技术路线：

1.实验材料和设备：多晶硅硅片、APCVD反应器、旋转蒸发器、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射仪（XRD）等。

2.实验步骤：

（1）准备多晶硅硅片，并清洗表面。

（2）将多晶硅硅片置于APCVD反应器中，设置不同的生长条件，进行多晶硅薄膜的生长。

（3）对生长后的多晶硅薄膜进行表征和分析，如SEM、TEM、XRD等技术。

（4）对多晶硅薄膜在太阳能电池、显示器等应用领域进行性能分析。

3.技术路线：

（1）多晶硅硅片的制备和清洗。

（2）APCVD方法进行多晶硅薄膜的生长。

（3）对多晶硅薄膜进行表征和分析，如SEM、TEM、XRD等技术。

（4）对多晶硅薄膜在太阳能电池、显示器等应用领域进行性能分析。

四、论文结构：

1.绪论：介绍多晶硅薄膜的应用及相关技术，阐述本研究的研究背景、目的和意义。

2.文献综述：论述多晶硅薄膜的制备方法及其性能。

3.实验方法：详细描述本研究的实验方法、实验材料和设备。

4.结果与分析：介绍多晶硅薄膜的生长实验结果，对所得到的多晶硅薄膜的结构、晶体品质、厚度等进行表征和分析，对多晶硅薄膜在太阳能电池、显示器等应用领域的性能进行分析。

5.结论：总结实验结果，阐明本研究的贡献，以及对未来研究的展望。

六、预期成果：

本研究预期可以：

1.确定多晶硅薄膜的最佳生长条件，优化多晶硅薄膜的生长过程。

2.研究多晶硅薄膜的结构、晶体品质、厚度等特性，为多晶硅薄膜在应用领域提供可靠的理论支持。

3.探究多晶硅薄膜在太阳能电池、显示器等应用领域的性能，促进多晶硅薄膜技术在相关领域的应用。