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p型多晶硅薄膜晶体管在动态负偏置温度应力下的退

化研究的开题报告

题目：p型多晶硅薄膜晶体管在动态负偏置温度应力下的退化研究

研究背景和意义：

随着半导体工艺的不断发展，p型多晶硅薄膜晶体管（poly-SiTFT）

已经成为了应用广泛的触摸屏、LCD等显示器件中的主要驱动器件。但

是，由于长期动态负偏置温度应力的存在，使得poly-SiTFT的退化现象

越来越严重，从而导致显示器件的性能下降、寿命缩短。因此，对于

poly-SiTFT在动态负偏置温度应力下的退化研究具有非常重要的实际意

义。

研究内容：

本文主要围绕poly-SiTFT在动态负偏置温度应力下的退化问题展开

研究。具体研究内容如下：

1.对poly-SiTFT进行长期动态负偏置温度应力实验，观察其电特性

随时间的变化情况，得出退化特征曲线。

2.对退化特征曲线进行分析，探讨其退化机理，重点研究其沟道电

阻、阈值电压偏移、子阈值摆幅等方面的变化。

3.分析动态负偏置温度应力对poly-SiTFT退化的影响因素，包括温

度、电压等参数，比较不同影响因素下的退化变化情况。

4.基于研究结果，提出适当的优化措施，例如缩短负偏置时间、改

变退火工艺等，以减缓退化速度，延长poly-SiTFT的使用寿命。

研究方法：

本文采用实验和理论相结合的方法进行研究。实验方面，使用半导

体工艺制备poly-SiTFT样品，通过长期动态负偏置温度应力实验，得出

退化特征曲线，分析不同参数下的退化变化情况。理论方面，将经验公

式和现有理论应用到退化机理的分析中，探寻退化的本质规律。

预期结果：

通过对poly-SiTFT在动态负偏置温度应力下的退化研究，我们预期

得到以下研究结果：

1.得出poly-SiTFT在动态负偏置温度应力下的退化特征曲线及其退

化机理。

2.深入分析不同影响因素下的退化变化情况，研究其规律性，为后

续工艺优化提供理论支持。

3.提出一些有效的优化措施，减缓poly-SiTFT的退化速度，提高其

使用寿命。

参考文献：

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