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GaN薄膜制备技术的研究进展.docx

发布：2024-07-13约5.21千字共6页下载文档
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GaN薄膜制备技术的争论进展

摘要：由于GaN薄膜有期望应用在紫外或蓝光发光器件、探测器以及高速场效应晶体管、高温电子器件,GaN材料是当前争论的一个焦点。本文综述了近年来国内外GaN薄膜制备技术的争论进展，并重点介绍了其进展历程、所使用的设备和技术、各自的优缺点及应用前景。通过比较这些技术的优缺点展望了制备GaN薄膜技术的进展前景。

关键词：GaN薄膜制备方法CVD

前言：

近年来，Ⅲ一V族宽带隙(E2．3eV)的氮化物材料已成为半导体领域的争论热点，其中，GaN具有直接宽禁带(室温下Eg一3．39eV)、发光效率高、电子漂移饱和速度高、热导率高、硬度大、介

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