安康功率半导体设计项目可行性研究报告.docx
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泓域咨询/安康功率半导体设计项目可行性研究报告
安康功率半导体设计项目
可行性研究报告
xxx(集团)有限公司
报告说明
近年来,随着第三代宽禁带材料半导体迅速发展,SiC与GaN功率半导体器件的应用规模开始持续增长。相对于硅衬底,宽禁带材料半导体具有更大的禁带宽度,在单位尺寸上能获得更高的器件耐压,以宽禁带材料为衬底制作的功率半导体器件尺寸更小,在特定应用场景具有优势。但由于生产规模还相对较小,生产技术有待成熟,产品价格相对较高,其应用场景受到了一定的限制。
根据谨慎财务估算,项目总投资1669.47万元,其中:建设投资1169.87万元,占项目总投资的70.07%;建设期利息1
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