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宜宾功率半导体设计项目可行性研究报告【范文参考】.docx

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泓域咨询/宜宾功率半导体设计项目可行性研究报告宜宾功率半导体设计项目可行性研究报告 xx有限公司报告说明 IGBT为电压驱动型器件，耐压高，工作频率介于晶闸管和MOSFET之间，能耗低、散热小，器件稳定性高。在低压下MOSFET相对IGBT在电性能和价格上具有优势；超过600V以上，IGBT的相对优势凸显，电压越高，IGBT优势越明显。IGBT在轨道交通、汽车电子、风力和光伏发电等高电压领域应用广泛。根据谨慎财务估算，项目总投资1290.92万元，其中：建设投资755.01万元，占项目总投资的58.49%；建设期利息15.31万元，占项目总投资的1.19%；流动资金520.

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