掺镓直拉单晶硅的生长方法、掺镓单晶硅及应用.pdf

直拉式单晶硅生长炉的关键技术研究的开题报告.docx 直拉式单晶硅生长炉的关键技术研究的开题报告摘要 单晶硅被广泛用于太阳能电池、LED等领域，其质量的优劣直接影响到器件的性能和成本。直拉式单晶硅生长炉是当前单晶硅生产中常见的设备之一，具有高效、稳定、自动化程度高等优点。然而，单晶硅生长炉的关键技术仍然存在许多问题，如杂质控制、成品率提升、搭扣控制等。本文旨在对直拉式单晶硅生长炉的关键技术进行研究，包括杂质控制、成品率提升、搭扣控制等方面，并提出相应的解决方案。首先，介绍直拉式单晶硅生长炉的基本原理和结构组成。然后，分析当前存在的生产问题，并针对性地提出解决方案。最后，通过实验验证和数值模拟等方法，验证方案的可行性和有效性。关键词：直拉式单

2023-07-28 约1.61千字 2页立即下载

直拉法单晶硅生长原理及工艺的开题报告.docx 直拉法单晶硅生长原理及工艺的开题报告一、研究背景 单晶硅是半导体产业中不可缺少的材料，广泛应用于太阳能电池、集成电路、光电器件等领域。而直拉法单晶硅生长技术是目前单晶硅生产中最为成熟、效率最高、最为可行的一种方法。本论文旨在探讨直拉法单晶硅生长的原理及工艺，为单晶硅生产提供科学依据和技术支持。二、研究目的 1、深入掌握单晶硅生长的原理、机理和实验方法； 2、了解与探究直拉法单晶硅生长中的关键技术； 3、尝试通过实验探究直拉法单晶硅生长中的优化方案。三、研究内容 1、单晶硅生长的原理、机理和实验方法：探究单晶硅生长的基本原理和机理，并介绍生长中的实验方法。 2、关键技术的探究：了解单晶

2023-12-16 约小于1千字 2页立即下载

一种直拉单晶硅生产用的引晶装置及引晶方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112831831 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202110026220.1 (22)申请日 2021.01.08 (71)申请人浙江旭盛电子有限公司

2023-06-03 约8.27千字 10页立即下载

第1讲直拉单晶硅绪论讲义.ppt 晶硅生长技术; 课程名：晶硅生长技术学分：4 时间：2015.9-2016.1 先修课程：材料化学基础半导体硅材料基础多晶硅生产技术;一、学习目标;二、成绩考核;三、课程内容 ;第一部分 单晶硅的基本知识;第二部分半导体基本知识;第三部分单晶炉结构及其直拉技术-1;第三部分单晶炉结构及其直拉技术-2;第四部分多晶炉结构及其铸锭技术;四、相关要求;光伏产业发展前景;;光伏产业发展前景;;;;;多晶硅产业;;单晶硅与多晶硅之争;谢谢！

2017-04-23 约小于1千字 22页立即下载

单晶硅片的制备方法和应用.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113382835 B (45)授权公告日 2022.08.02 (21)申请号 202080010693.6 (73)专利权人常州时创能源股份有限公司

2023-06-21 约1.1万字 8页立即下载

直拉单晶硅设备与工艺研究.doc 目录摘要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ⅰ Abstract .......................................................... Ⅱ 第一章 1 1.1单晶硅的制备方法 ...............................................1 1.1.1区熔法 ...............

2017-06-28 约1.09万字 26页立即下载

第九章-单晶硅制备-直拉法.ppt 2）晶棒晃动晶棒晃动：晶棒的中心没有在熔液的中心，显示出在熔液中摆动。可能原因： 1埚位太高； 2上下对中或水平有问题； 3提拉头动平衡有问题如何处理：根据实际情况，报告主管或工程师，适当降低晶转和埚转，停炉之后检查对中、水平情况和提拉头动平衡。 3）晶棒扭曲晶棒扭曲：晶棒不直，出现S形。原因：1 熔液径向温度低； 2 上下对中和水平有问题； 3 埚位太低； 4 氩气流不均匀； 5 籽晶阻尼套问题。出现扭曲一般如何处理：

2018-10-12 约7.04千字 82页立即下载

直拉单晶硅的工艺流程.pptx 直拉单晶硅的工艺流程演讲人：日期: 目录 CONTENTS 01 原材料准备 02 装料与加热系统 03 晶体生长阶段 04 冷却与脱模流程 05 加工与表面处理 06 质量检测与包装 01 原材料准备原料选择采用化学或物理方法清洗多晶硅原料，去除表面杂质和油污。原料清洗原料粉碎将多晶硅原料进行粉碎，以便更好地进行后续加工和熔化。选用高纯度的多晶硅作为原料，确保单晶硅的纯度。多晶硅原料纯化坩埚选择选用高纯度、耐高温的石英坩埚，确保熔化和拉晶过程中不受污染。石英坩埚预处理坩埚清洗采用高纯度的清洗剂和超声波清洗技术，彻底清洗石英坩埚，去除杂质和油污。坩埚预热将清洗好

2025-05-15 约2.35千字 27页立即下载

直拉单晶硅热屏物性参数对热场影响的数值模拟.docx 直拉单晶硅热屏物性参数对热场影响的数值模拟一、引言在单晶硅制备工艺中，直拉法是一种常见的技术。在此过程中，热屏（即隔热屏蔽）的作用不容忽视，其不仅提供了所需的热场保护，同时也影响热场的均匀性和温度稳定性。本篇论文，我们旨在通过数值模拟的方法，研究直拉单晶硅热屏物性参数对热场的影响。我们将从模拟的原理、模型构建、结果分析等方面进行详细阐述。二、模拟原理及模型构建首先，我们需要构建一个单晶硅直拉工艺的数值模拟模型。这个模型需要包含直拉设备的几何形状、材料特性以及工艺条件等重要参数。然后，我们通过使用适当的数值模拟软件，对模型进行求解，以获得热屏物性参数对热场的影响。在模拟过程中，我们主要

2025-05-02 约4.09千字 8页立即下载

单晶硅锭的制造方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113005509 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202011111507.6 (22)申请日 2020.10.16 (30)优先权数据 2019-2304

2023-06-09 约1.6万字 15页立即下载

一种利用硅棒头尾料制备单晶硅片的方法及应用.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112829094 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202011642233.3 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人常州时创能源股份有限公司

2023-06-06 约9.05千字 10页立即下载

绒面结构、包含其的单晶硅片、制绒方法及应用.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823943 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210281252.0 (22)申请日 2022.03.22 (71)申请人湖州飞鹿新能源科技

2023-05-15 约1.54万字 18页立即下载

一种籽晶铺设方法、单晶硅锭的制备方法和单晶硅锭.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113373503 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 20201

2023-06-19 约1.38万字 12页立即下载

单晶硅生长及硅片制备技术课件.ppt 單晶矽生長及矽片製備技術矽晶片的生長技術單晶矽基片(SiliconWafer)，之所以在諸多半導體元素如鍺(Germanium)或化合物半導體如砷化稼(GaAs)等材料中脫穎而出，成為超大規模積體電路(VLSI)元器件的基片材料，其原因在於，首先，矽是地球表面存量豐富的元素之一，而其本身的無毒性以及具有較寬的帶寬（Bandgap)是它在微電子基片中能夠獲得應用的主要原因。當然，對於高頻需求的元器件，矽材料則沒有如砷化稼般的具有高電子遷移率(ElectronMobility)而受到青睬，尤其是它無法提供光電元件(OptoelectronicDevice)的基體材料。在此方面的應用由砷化稼等半導體

2025-03-20 约4.51千字 23页立即下载

一种单晶硅生长炉用籽晶夹持器.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113355742 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110537479.2 (22)申请日 2021.05.18 (71)申请人赵云地址 0560

2023-06-17 约7.84千字 9页立即下载