文档详情

一种利用硅棒头尾料制备单晶硅片的方法及应用.pdf

发布：2023-06-06约9.05千字共10页下载文档

文本预览下载声明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112829094 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202011642233.3 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人常州时创能源股份有限公司

显示全部

相似文档

一种区熔单晶硅的制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114540942 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210222706.7 (22)申请日 2022.03.07 (71)申请人陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任
2023-05-11 约1.46万字 13页立即下载
单晶硅片的制备方法和应用.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113382835 B (45)授权公告日 2022.08.02 (21)申请号 202080010693.6 (73)专利权人常州时创能源股份有限公司
2023-06-21 约1.1万字 8页立即下载
一种籽晶铺设方法、单晶硅锭的制备方法和单晶硅锭.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113373503 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 20201
2023-06-19 约1.38万字 12页立即下载
一种单晶硅制备方法及装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112795979 B (45)授权公告日 2021.07.16 (21)申请号 202110354816.4 C30B 15/20 (2006.01)
2023-06-03 约2.13万字 17页立即下载
一种单晶硅开方方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114536573 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210104370.4 (22)申请日 2022.01.28 (71)申请人福州天瑞线锯科技有限公司地址 3
2023-05-07 约1.86万字 24页立即下载
一种单晶硅片清洗机及清洗单晶硅片的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114792641 A (43)申请公布日 2022.07.26 (21)申请号 202210379124.X (22)申请日 2022.04.12 (71)申请人缪云地址 311623 浙江省杭
2023-05-13 约2.93万字 24页立即下载
掺镓直拉单晶硅的生长方法、掺镓单晶硅及应用.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112831828 B (45)授权公告日 2021.12.07 (21)申请号 202110017582.4 H01L 31/0288 (2006.01)
2023-06-03 约1.37万字 10页立即下载
单晶硅制备应用研究分析技术.doc [074-001]_12英寸直拉单晶硅在宁波研制成功[074-002]_300mm的大直径直拉单晶硅勾形磁场下生长的数值模拟[074-003]_300_反应堆单晶硅中子嬗变掺杂计算[074-004]_450毫米单晶硅圆片时代即将来临[074-005]_Al含量对真空电弧沉积ZrAlN薄膜性能的影响[074-006]_Au纳米晶在单晶硅_110_表面上的分形生长[074-007]_BF_2_注入单晶硅和多晶硅栅快速热退火氟迁移特性的SIMS分析[074-008]_IgG分子在单晶硅片表面导向性固定的XPS和EIA研究[074-009]_MECHANICALPROPERTIESA
2017-05-23 约6.3千字 6页立即下载
一种单晶硅拉晶工艺方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112981520 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110024166.7 (22)申请日 2021.01.08 (71)申请人隆基
2023-06-06 约1.87万字 13页立即下载
第9章单晶硅的制备.ppt 第九章 单晶硅的制备 9.1 单晶硅基础知识（1）晶体的熔化与凝固晶体在缓慢加热和冷却过程中，有个温度平台，有固定的结晶（熔化温度），但非晶体没有。硅的熔点：1416±4℃ 熔化热（结晶潜热）：12.1Kcal/mol (Cp.m=20 kJ mol-1k-1) 升温曲线的物理化学过程变化（熔化）：升温----晶体保持原有结构（对称和空间群不变，但分子由于吸热，热运动加快---到达熔点后，尽管晶体吸热，但温度保持平台，吸收的热量使晶体结构发生变化，熔化（熔化热），晶体结构发生相变，但体系温度不变。克拉佩龙方程（dp/dT=ΔHm/TΔVm)），待全部熔化后，熔体吸热，分子热
2017-05-27 约字 41页立即下载
单晶硅制备1.ppt 直拉法工作原理： 1、在合适的温度下，融液中的硅原子会顺着晶种的硅原子排列结构在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。 2、把晶种微微的旋转向上提升，融液中的硅原子会在前面形成的单晶体上继续结晶，并延续其规则的原子排列结构。 3、若整个结晶环境稳定，就可以周而复始的形成结晶，最后形成一根圆柱形的原子排列整齐的硅单晶晶体，即硅单晶锭。 4、当结晶加快时，晶体直径会变粗，提高升速可以使直径变细，增加温度能抑制结晶速度。反之，若结晶变慢，直径变细，则通过降低拉速和降温去控制。 CZ法的生长工艺流程：直拉单晶炉设备简介 1、石墨坩埚是用于支撑石英坩埚的，他可以多次使用。 2、其寿命取决于：石墨的材
2018-12-13 约6.45千字 54页立即下载
一种单晶硅太阳电池制绒剂及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117344387A (43)申请公布日2024.01.05 (21)申请号202311419591.1 (22)申请日2023.10.30 (71)申请人西安吉利电子新材
2024-01-05 约9.68千字 13页立即下载
一种基于晶体硅刚线废料制备太阳能级单晶硅的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114561700 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210160170.0 C30B 15/00 (2006.01) (22)申请日 2022.02.
2023-05-10 约1.75万字 11页立即下载
一种单晶硅磨片机.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112917278 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202110078954.4 (22)申请日 2021.01.21 (71)申请人董文文地址 518
2023-06-06 约9.01千字 10页立即下载
一种单晶硅棒截断机.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112976378 B (45)授权公告日 2021.12.10 (21)申请号 202110451014.5 (56)对比文件
2023-06-06 约1.68万字 15页立即下载