矩阵按键处理方法.doc

说明： 扫描方式 PWM 中断延时函数是 ： def_key_delay31us macro AR= RM[R_KEY_discharge_time] jeq def_key_delay31us_1 ar-- RM[R_KEY_discharge_time]= ar def_key_delay31us_1: endm 检测到R_KEY_discharge_time = 0 ，表示 时间到 ！ 开始计时 是 给R_KEY_discharge_time 寄存器赋值， 延时时间 = R_KEY_discharge_time * 1/8K 秒 扫描方式是 从 PB5 , PB6 , PB7 , PC0 , PC1 , PC2 , PC3 , PC4 , PC5 , PC6 , PC7 依次扫描 每跟线分 3 个状态 比如：扫描 PB5 列线 1 ，PB5 = 1 , 其他扫描线 = 0 ；输入口 输出高电平 ，给 输入口充电， 2 ，延时 1 – 2 个 PWM 中断 ，及R_KEY_discharge_time = 2 ； 3 ，把 输入口设置成 输入状态 4 ，延时 4 – 5 个 PWM 中断 ，及R_KEY_discharge_time = 5 ； 5 ，读取 输入口状态 扫描 PB6 列线 同 PB5 一样 FCC 分析： _____ | |___________________________________________ PB5电平 扫描线 _____ ______| |_____________________________________ PB6 电平 扫描线 _____ ____________| |_______________________________ PB7 电平 扫描线 _____ __________________| |_________________________ PB8 电平 扫描线 . . . . 最后 返回到 PB5 ,扫描线 重新扫描 从 扫描 PB5 列 分析： PB5 的高电平持续时间，= 6 – 8 个中断时间 = 0.75ms – 1ms 电磁辐射产生的原理是：高低电平变化的太快，及 频率很高！辐射越大！ 所以当， PB5 的高电平时间越短，高低电平变化时间越快,辐射就越大， 为了降低，辐射 合理 增加 2 行，4行的 延时时间，就可以了！ 为什么要有 第 2 行的 延时： 做这个延时的原因，是 让 IO 口有足够的充电时间，如果直接写 2 条语句 Ar= 0x0000 Io[ioc_pa]= ar Ar= 0xffff Io[porta]= ar ; 把 输入口设置 高 充电 Io[ioc_pa]= ar ; 把输入口 设置 输入状态 如果直接这样写，在一条指令的时间内 ，怕充电没冲满的原因！ 为什么要有 第 4 行的 延时： 做这么长的时间的原因是: 输入口外部下拉，100K 电阻，把 输入口设置成输入状态后 IO 口经过 100K 电阻 放电！时间有点慢的原因！ 确保放电能放完 = 0 ； 为什么读取输入口数据 要有 充电放电的动作： 从电路分析，当多个按键按下，下拉100K 的电阻会减小，按下的越多，减的越小。 这样在 IO 口产生的电压会降低！ DSP IO 口，的检测电平，是 当 之前 IO 电平为 高电平，那么现在读取的 值是 ：20%VDD, 以下的电压是 低，以上的是高， 当 之前 IO 电平为 低电平，那么现在读取的 值是 ：80%VDD, 以下的电压是 低，以上的是高， 所以，做这个动作的原因，就是 里面 IO 的特点，消除 IO 口电压降低的原因！ 注： 延时时间为什么是 1 – 2 个中断，及R_KEY_discharge_time 为什么 = 2 ； |---------------------------|---------------------------|---------------------------| 0 1/8K 2/8K 3/8K A