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具有结型场板的横向功率MOS器件仿真设计.docx

发布：2024-10-17约2.02万字共27页下载文档
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题目：具有结型场板的横向功率MOS器件仿真设计

摘要

本文涉及一种在功率器件中提供低导电性和高电压强度的不同结型场板技术。横向节点板技术保留了调制器件初始表面电场的优点，电阻场板的高漏电流和电阻场板的供电对提高电阻场板的静电性能非常重要。从技术上来看，节点场板技术到LDMOS获得了成功，此后，科学家们又提出了名字称为LDMOS器件结构。

新的场板技术可以在控制电源装置上影响着它的表面电场，另外一方面，能够与漂移区相互配合形成结构。在漂移区排气方便，提高了掺杂浓度。分析了LDMOS的结构和机理，分析了其静态特性，优化了关键设备参数，讨论了工艺设计和实际工艺。

考虑到

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