具有半绝缘多晶硅完全三维超结横向功率器件曹震段宝兴 - 物理学报.pdf

具有半绝缘多晶硅完全三维超结横向功率器件 曹震 段宝兴 袁小宁 杨银堂 Complete three-dimensional reduced surface field super junction lateral double-diffused metal-oxide- semiconductorfield-effecttransistorwithsemi-insulating polysilicon CaoZhen DuanBao-Xing YuanXiao-Ning YangYin-Tang 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,187303(2015) DOI: 10.7498/aps.64.187303 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.187303 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I18 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 开态应力下电压和电流对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管的退化作用研究 Degradation induced by voltage and current for AlGaN/GaN high-electron mobility transistor under on- statestress 物理学报.2015,64(12): 127303 /10.7498/aps.64.127303 阶梯氧化层新型折叠硅横向双扩散功率器件 New folding lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor with the step oxide layer 物理学报.2015,64(6): 067304 /10.7498/aps.64.067304 新型缓冲层分区电场调制横向双扩散超结功率器件 Newsuperjunctionlateraldouble-diffusedMOSFETwithelectricfieldmodulationbydifferentlydopingthe bufferedlayer 物理学报.2014,63(24): 247301 /10.7498/aps.63.247301 具有N型缓冲层REBULFSuperJunctionLDMOS NewREBULFsuperjunctionLDMOSwiththeNtypebufferedlayer 物理学报.2014,63(22): 227302 /10.7498/aps.63.227302 SnO /p -Si异质结器件的电致发光：利用TiO 盖层提高发光强度 Electroluminescence from SnO /p -Si heterostructured light-emitting device：enhancing its intensity via cappingaTiO film 物理学报.2014,63(17): 177302 /10.7498/aps.63.177302 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 18 (2015) 187303 具有半绝缘多晶硅完全三维超结横向功率器件 曹震 段宝兴 袁小宁 杨银堂 (西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071) ( 2014 年12 月11 日收到; 2015 年5 月19 日收到修改稿) 为了突破传统LDMOS (lateral double-diffused MOSFET) 器件击穿电压与比导通电阻的硅极限的2.5 次方关系, 降低LDMOS 器件的功率损耗, 提高功率集成电路的功率驱动能力, 提出了一种具有半绝缘多晶硅 SIPOS (semi-insulating poly silicon) 覆盖的完全3 D-RESURF (th