2016年VLSI系统设计2-MOS器件.pdf

VLSI系统设计 VLSI系统设计 第2章MOS器件 东南大学 单伟伟 2016.10 东南大学-国家ASIC 中心 1 VLSI系统设计 上周课内容回顾： 集成电路发展史 摩尔定律 电子信息系统构成 VLSI设计流程 （2） VLSI系统设计 本章概要  MOS晶体管结构及基本工作原理  MOS晶体管的电流-电压特性  MOS晶体管的阈值电压VT  MOS晶体管主要电参量  速度饱和  FinFET晶体管 东南大学-国家ASIC 中心 3 VLSI系统设计 先回顾几个概念 导体、半导体 载流子、多子、少子 掺杂、N型半导体、P型半导体 PN结 MOSFET：Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor 4 VLSI系统设计 2.1.1 MOS 晶体管结构 NMOS管有几个端口？ 东南大学-国家ASIC 中心 5 VLSI系统设计 2.1.1 MOS 晶体管结构 2.1.1 MOS 晶体管结构及基本工作原理 NMOS PMOS 东南大学-国家ASIC 中心 6 VLSI系统设计 思考题：怎么样才能让NMOS管工作？ 两个N+区哪个是源端，哪个是漏端？ 东南大学-国家ASIC 中心 7 VLSI系统设计 2.1.1 MOS 晶体管的基本工作原理 VTN :阈值电压 D S + - 工作条件：VDS很小时 V 东南大学-国家ASIC 中心 8 VLSI系统设计 工作条件：VDS很小时