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《Ag-TiO2基阻变器件制备及其阻变机理研究》篇一
Ag-TiO2基阻变器件制备及其阻变机理研究一、引言
随着信息技术和微电子技术的快速发展,阻变存储器作为一种新兴的非易失性存储器技术,正受到广泛关注。Ag/TiO2基阻变器件是其中一种典型的阻变存储器件,具有结构简单、制备成本低、存储密度高等优点。本文旨在研究Ag/TiO2基阻变器件的制备工艺及其阻变机理,为阻变存储器的发展提供理论依据和技术支持。
二、Ag/TiO2基阻变器件的制备
1.材料选择与准备
制备Ag/TiO2基阻变器件,首先需要选择合适的材料。本实验选用高纯度的TiO2作为主要材料,通过溶胶凝胶法制备出具有适当电导率的TiO
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