第05章 存储器原理及接口.ppt

输 入 输 出 使 能 选 择 G1 G2A# G2B# C B A Y7# Y6# Y5# Y4# Y3# Y2# Y1# Y0# 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 其 它 X X X 1 1 1 1 1 1 1 1 74LS138功能表 用74LS138产生CS M/IO接74LS138 高位地址线接74LS138 /Y0…/Y7作/CS 几点注意 地址改变 译码线地址范围大于芯片容量 译码线地址范围小于芯片容量 有关存储器接口的内容一般有2种 给出地址，设计电路 给出电路，指出地址 * 1 保持、 2 可改写 * 给出图及mn/mx * AD-74LS373 CLK? * 在blackboard画相关部分 * 举例：指令mov * 讨论，1、2颠倒，如何？ * 结合指令举例 * 用指令举例 5、4 8086系统的存储器接口 一、存储器接口应考虑的几个问题 存储器与CPU之间的时序配合; CPU总线负载能力; 8086CPU对存储器的读写方式 存储芯片的选用 8086CPU对存储器的读方式 结论 CPU总是16位的读； 从偶地址读； 二、 CPU 提供的信号线 数据线 D15～D0 地址线 A19～A0 存储器或I/O端口访问信号M/IO# /RD 读信号 /WR 写信号 /BHE 总线高字节有效信号 特点 1、控制线可以组合不同功能 2、CPU根据指令发出信号 三、存储器接口举例 (一)、只读存储器(ROM)扩展电路 特点 a、只读；b、十六位操作 27系列EPROM芯片 27系列EPROM芯片 信号线可分为如下几类： 总线部分： D0—D7，数据线 A0—An－1，地址线。n是地址线个数。对于2716，n为11，对于27256，n＝15。 电源部分： VCC，GND，电源和地 VPP，编程电压。在CPU仅对芯片进行读操作时，Vpp一般直接接电源电压。 控制部分： /OE 读控制线。当其有效时，数据从EPROM内的某个单元通过数据线传送到CPU。 /CS 片选线。该信号一般为低电平有效。有效时表示本芯片工作。在芯片编程时这根线常作编程控制线。 例：设计一ROM扩展电路，容量为32K字，地址从00000H开始。EPROM芯片取27256  解： a、确定芯片个数 32K×16=64K ×8 64 K ×8/(32 K×8)=2(片) b、确定/CS电路 CS c、电路 偶片 奇片 e、总结 8086CPU EPROM DB7…0 D7…0 (偶片) DB15…8 D7…0 (奇片) /RD /OE An…1 An-1..0 A19…n+1+M/IO# /CS （二）、静态随机读写存储器(RAM)扩展电路 特点 a、读/写；b、读十六位操作； c、写十六/八位操作 62系列静态RAM芯片 62系列静态RAM芯片 信号线可分为如下几类： 总线部分： D0—D7，数据线 A0—An－1，地址线。n是地址线个数。对于6116，n为11，对于62256，n＝15。 电源部分： VCC，GND，电源和地 控制部分： /RD 读控制线。当其有效时，数据从EPROM内的某个单元通过数据线传送到CPU。 /WR写控制线。当其有效时，CPU把数据通过数据线传送到RAM中的某个单元。 /CS 片选线。该信号一般为低电平有效。有效时表示本芯片工作。 例: 设计一RAM扩展电路，容量为32K字，地址从10000H开始。芯片采用62256。 解： a、计算所需要的芯片个数 32K×16=64K ×8 64 K ×8/(32 K×8)=2(片) b、确定CS电路 c、偶片、奇片CS的产生 此方案不满足八位的写操作！ c、偶片、奇片CS的产生 此方案不满足16位的写操作！ 增加控制线/BHE(总线高字节有效信号) c、偶片、奇片CS的产生 d、电路 e、总结 8086CPU EPROM DB7…0 D7…0 (偶片) DB15…8 D7…0 (奇片) /RD /OE /WR /WR An…1 An-1..0