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外部存储器接口.ppt

发布:2023-12-25约3.07千字共40页下载文档
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关于外部存储器接口第1页,讲稿共40页,2023年5月2日,星期三6.1接口信号与控制寄存器EMIF(ExternalMemoryInterface)外部存储器接口为DSP芯片与众多外部设备之间提供一种连接方式,EMIF最常见的用途就是同时连接FLASH和SDRAM。EMIF性能优良,跟外部SDRAM和异步器件连接时,具有很大的方便性和灵活性。根据DSP器件的不同,EMIF数据总线可以是32位、16位或8位。第2页,讲稿共40页,2023年5月2日,星期三6.1EMIF接口信号主要特点是:系统需要为C67x提供一个外部时钟。该外部时钟由ECLKIN输入后会产生EMIF接口的时钟信号ECLKOUT。SBSRAM接口、SDRAM接口和异步接口的信号合并复用。由于不需要进行后台刷新,系统中允许同时具有这3种类型的存储器。CE1空间支持所有的3种存储器接口。同步存储器接口提供4字突发访问模式。SDRAM接口更灵活,支持更广泛的SDRAM配置。第3页,讲稿共40页,2023年5月2日,星期三EMIF接口地址虽然C6000提供32位地址寻址能力,但是经EMIF直接输出的地址信号只有EA[21:2]。一般情况下,EA2信号对应逻辑地址A2,但这并不意味着DSP访问外存时只能进行字(32bit)或双字(64bit)的存取。实际上内部32位地址的最低2~3位经译码后由BEx输出,是能够控制字节访问的。某些情况下,EA2还可能对应最低位逻辑地址A1或A0第4页,讲稿共40页,2023年5月2日,星期三EMIF接口宽度与字节定位C67x的EMIF可以访问8/16/32位宽度的存储器,支持little-endian和big-endian模式。最低位逻辑地址规定由EA管脚输出,EMIF内部会自动根据访问数据的字长,将逻辑地址作移位调整输出。第5页,讲稿共40页,2023年5月2日,星期三EMIF控制寄存器EMIF接口由一组存储器映射的寄存器进行控制与维护,包括配置各个空间的存储器类型和设置读写时序等。GBLCTL寄存器完成对整个片外存储空间的公共参数的设置,CExCTL寄存器分别控制相应存储空间的存储器类型和接口时序,另外3个SDRAM寄存器负责控制所有属于SDRAM空间的存储接口情况第6页,讲稿共40页,2023年5月2日,星期三GBLCTL寄存器第7页,讲稿共40页,2023年5月2日,星期三CExCTL寄存器第8页,讲稿共40页,2023年5月2日,星期三SDCTL寄存器第9页,讲稿共40页,2023年5月2日,星期三SDTIM寄存器第10页,讲稿共40页,2023年5月2日,星期三SDEXT寄存器第11页,讲稿共40页,2023年5月2日,星期三SRAM是StaticRandomAccessMemory的缩写,中文含义为静态随机访问存储器,它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电,存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与DRAM不同,DRAM需要进行周期性的刷新操作。同时,我们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和FlashMemory相混淆,因为SRAM是一种易失性存储器,它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以任意顺序访问,而不管前一次访问的是哪一个位置。?DRAM是DynamicRAM的缩写,中文含义为动态随机存取存储器,需要不断的刷新,才能保存数据。而且是行列地址复用的,许多都有页模式。SDRAM:SynchronousDRAM,即数据的读写需要时钟来同步。一个是静态的,一个是动态的,静态的是用的双稳态触发器来保存信息,而动态的是用电子,要不时的刷新来保持。DRAM容量大,SRAM容量小6.2SDRAM接口设计第12页,讲稿共40页,2023年5月2日,星期三SDRAM的结构第13页,讲稿共40页,2023年5月2日,星期三接口信号与SDRAM配置对SDRAM的读写,需要依次分别给出行地址(row)和列地址(column)第14页,讲稿共40页,2023年5月2日,星期三SDRAM的控制EMIF所支持的SDRAM控制命令第15页,讲稿共40页,2023年5月2日,星期三ACTV命令ACTV命令的作用是激活存储器中的相关页,以尽量降低后续访问的延迟。每次读/写SDRAM中新的一行之前,EMIF会自动发出ACTV命令。第16页,讲稿共40页,2023年5月2日,星期三READ读命令对SDRAM的突发访问,读取3个数据第17页,讲稿共40页,2023年5月2

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