有源器件端口反射系数测量方法分析-太赫兹科学与电子信息学报.PDF

第 13 卷 第 2 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．13，No．2 2015 年 4 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Apr．，2015 文章编号：2095-4980(2015)02-0267-05 有源器件端口反射系数测量方法分析 张翠翠，王 益，王建忠 (中国工程物理研究院 计量测试中心，四川 绵阳 621999) 摘 要 ：有源器件的端口反射系数是器件的主要参数，端口反射系数的大小直接影响信号的 输出功率。为实现有源器件在“射频开”状态下端口反射系数的测量，开展了阻抗调谐器法和网 络分析仪频率偏移法的源端口反射系数测量方法研究，并针对信号源和放大器开展了相应的实验。 测量结果表明，10 dBm 输出时2 种方法测得反射系数模值的差别小于0.06 ，相位变化差别优于10° ， 为有源器件端口反射系数的测量提供了可行的方法。 关键词 ：有源器件；反射系数测量；阻抗调配器；网络分析仪 中图分类号 ：TN98 文献标识码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201502.0267 Analysis on the reflection coefficient measurement of the active device ZHANG Cuicui，WANG Yi，WANG Jianzhong (Metrology and Testing Center，China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621999，China) Abstract： Reflection coefficient of the active device is the main parameter which directly affects the output power of the signal. The two methods－impedance tuner and Vector Network Analyzer(VNA) frequency shift , are analyzed in order to measure the reflection coefficient of active device on the state of RF ON. Some measurement experiments on the signal generator and amplifier are performed. The results show that, the difference between the two methods is less than 0.06，and the phase difference is below 10°, under 10 dBm of the output. The work provides feasible ways to measure the reflection coefficient of active devices. Key words： active device；reflection coefficient measurement；impedance tuner；network analyzer 目前，对于无源器件来说，端口反射系数测量技术比较成熟，可以借助网络分析仪(VNA)来测量，但是对于 有源器件 信号发生器和放大器等