《模拟电子技术基础教学教案》-华成英——第四章习题解答.doc

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2017-01-08 约小于1千字 16页立即下载

模电课件第四章(模拟电子技术基础第四版童诗白华成英).ppt 4.4 集成电路运算放大器中的电流源电流源概述集成电路电流源二、微电流源三、比例式电流源四、多路电流源 第四章 集成运算放大电路集成电路: 将整个电路的各个元件做在同一个半导体基片上。集成电路的优点：工作稳定、使用方便、体积小、重量轻、功耗小。集成电路的分类：模拟集成电路、数字集成电路；小、中、大、超大规模集成电路； ? ? 4.1 集成运放的内部结构及特点集成电路内部结构的特点： 1. 电路元件制作在一个芯片上，元件参数偏差方向一致，温度均一性好。 2. 电阻元件由硅半导体构成，范围在几十到20千欧，精度低。高阻值电阻用三极管有源元件代替或外接。

2018-07-06 约2.84千字 19页立即下载

模拟电子技术第四章习题解答..docx 第四章习题解答题 4-1 在图P4－1是集成运放BG303偏置电路的示意图，已知VCC=VEE=15V，偏置电阻R=1MΩ(需外接)。设各三极管的β均足够大，试估算基准电流IREF以及输入级放大管的电流IC1、IC2。图 P4-14-1解：VT4、VT3、R组成镜像电流源，流过R的基准电流为，β足够大，所以VT1、VT2为差分对管，则有题 4-2 在图P4-2中，三极管的β＝100,rbe＝10.3kΩ，VCC=VEE=15V，Rc=36kΩ，Re=27Ω，R=2.7kΩ，Rw=100Ω，Rw的滑动端处于中点，负载电阻RL=18kΩ,估算：① 静态工作点；② 差模电压放大倍数；③ 差模输入电阻

2017-01-27 约字 9页立即下载

模拟电子技术基础习题解答(第四版童诗白 华成英)第一部分.doc 第一部分 模拟电子技术基础 第四版清华大学电子学教研组编童诗白 华成英 主编自测题与习题解答 第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。( √ )

2019-03-21 约2.8万字 65页立即下载

《模拟电子技术基础教程》华成英——第三章习题解答.doc

2017-11-20 约小于1千字 8页立即下载

《模拟电子技术基础教程》华成英-第七章习题解答.doc

2019-05-29 约字 10页立即下载

《模拟电子技术基础教程》华成英——第二章习题解答.doc

2017-05-06 约字 13页立即下载

模拟电子技术基本教程（华成英）课后习题解答.pdf 模拟电子技术基本教程（华成英）课后习题解答 CHAF 导言 1.1填空（1）信号是反映的物理量，电信号是指随而变化的电压或电流。（2 ）模拟信号在时间和数值上均具有性，数字信号在时间和数值上均具有性。（3）模拟电路是处理信号的电路。（4 ）构成具有各种功能模拟电路的基本电路是。解（1）消息，时间（2 ）连续，离散

2022-11-14 约6.68万字 88页立即下载

经济学基础教学课件作者冯瑞电子教案习题答案第四章课件.ppt 右下方倾斜，凸向原点 1 2 3 离远点越远，表示效用越大任意两条曲线不能相交乙商品甲商品 I1 I2 I3 第二节多买好还是少买好呢 ——消费者均衡 2 第二节多买好还是少买好呢 ——消费者均衡 2 边际替代率MRS 指消费者在保持相同的效用时，减少的一种商品的消费量与增加的另一种商品的消费量的比值。第二节多买好还是少买好呢 ——消费者均衡 2 预算约束线 X Y 0 C D B A 第二节

2016-12-25 约3.04千字 26页立即下载

4.第四章 习题解答b.doc 第四章 热学基础选择题 4—1 有一截面均匀的封闭圆筒中间被一光滑的活塞隔成两边如果其中一边装某一温度的氢气为了使活塞停在圆筒的正中央则另一边应装入同一温度的氧气的质量为; (B) ; (C) ; (D) . 4—2 根据气体动理论理想气体的温度正比于气体分子的平均速率气体分子的平均动能气体分子的平均动量的大小气体分子的平均平动动能4—3 在一固定的容器内理想气体的温度提高为原来的两倍那么 (A) 分子的平均平动动能和压强都提高为原来的两倍分子的平均平动动能提高为原来的四倍压强提高为原来的两倍分子的平均平动动能提高为原来的两倍压强提

2016-08-12 约4.18千字 12页立即下载

模拟电子技术基础第四习题解答童诗白（参考）.doc 第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。√ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。√ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。() (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。√ ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的大于零，则其输入电阻会明显变小。() 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空

2017-01-24 约4.67万字 143页立即下载

模拟电子技术基础第四习题解答（参考）.doc 第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。√ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。√ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。() (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。√ ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的大于零，则其输入电阻会明显变小。() 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，

2017-01-27 约4.67万字 143页立即下载

模拟电子技术基础(第四版)习题解答.doc 第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。√ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。√ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。() (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。√ ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的大于零，则其输入电阻会明显变小。() 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，

2019-03-17 约5.37万字 145页立即下载

模拟电子技术基础(第四版)习题解答.doc 模拟电子技术基础(第四版)习题解答 模拟电子技术基础 第四版清华大学电子学教研组编童诗白 华成英 主编自测题与习题解答 第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) 模拟电子技术基础(第四版)习题解答全文共146页，当前为第1页。(5)结型

2022-08-08 约6.23万字 146页立即下载