JCS40N25T-吉林华微电子股份有限公司.PDF
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N 沟道增强型场效应晶体管
R N-CHANNEL MOSFET
JCS40N25T
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
40 A
ID
250 V
VDSS
Rdson-max
68mΩ
(@Vgs=10V)
Qg-typ 87 nC
用途 APPLICATIONS
高频开关电源 High efficiency switch
电子镇流器 mode power supplies
UPS 电源 Electronic lamp ballasts
based on half bridge
UPS
产品特性 FEATURES
低栅极电荷 Low gate charge
低Crss (典型值82pF) Low Crss (typical 82pF )
开关速度快 Fast switching
产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested
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