一种用于便携式GPS接收机射频芯片的低功耗低噪声放大器.pdf
文本预览下载声明
31 1 Vol. 31, . 1
2010 1 Journal of Telemetry, Tracking and Command January 2010
GPS
*
夏温博, 张晓林, 宋 丹
( 100191)
: 针对便携式 GPS系统对低功耗射频前端的需求, 基于 SM IC 180nm 1P M RF CMOS 工艺提出 一种具有单端转
差分功 的低功耗低噪声放大器为了实现低功耗的目标, 低噪声放大器的晶体管均被偏置在中等反型区考虑 ESD 保
护和焊盘寄生效应, 后仿真结果显示, 在最差工艺角情况下, 增益为 19dB, 三阶交截点为- 14dBm, 噪声系数为 42dB, 输入
回损为 - 8dB在 07V供电电压下, 功耗为 1mW, 增益功耗比为 19dB/mW, 十分适合应用在便携式手持 GPS领域
: 低噪声放大器; 中等反型; CMOS; 射频集成电路; 低功耗
: TN402 : A : CN11-1780( 2010) 01-0011-0
GPS,
GPS,
( GSMBlue- toothZ igBee)( SOC)
GPS, GPS
, LNA ( Low Noise Am-
plifier) GPS 30mW
GPS, LNA
, LNA , LNA
,
LNA, GPS
[ 1]
NguyenPCSN IM ( Pow er Constrained Smi ultaneousN oise and InputM atching) ,
LNA MOS, ,
MOS MOS, ,
, , , ,
, ,
, SM IC 018m 1P M RF CMOS
, LNA GPS,
* :
: 2009-05-22 : 2009-07-20
12 , GPS 31 1
1 MOS LNA
Nguyen PCSN IM
,
[ 1]
, 1, ,
LNA
1 LNA[ 1]
1 A
2 2 = 50 ( 1)
Cgs A + B
g L
m s = 50 ( 2)
Cgs + C1
1
= ( 3)
(L + L ) (C + C )
g s gs 1
图 1 使用 PCSN IM 技术的 LNA 结构
2 Cgs + C1
, A = ( 1- | c | ), B = + | c |
5 C 5
gs
Cgs M 1, gm M 1, , c
[ 1]
( 1) ( 2) ( 3) : g
显示全部