半导体器件金属化热电徙动的温度测试-北京工业大学学报.PDF

半导体器件 金属化应力空洞试验.docx ICS31.080 CCSL00 中华人民共和国国家标准 GB/TXXXXX—XXXX/IEC62418：2010 ` 半导体器件金属化应力空洞试验 Semiconductordevices-Metallizationstressvoidtest (IEC62418：2010，IDT) (报批稿) (本草案完成时间：2022-12-10) 在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX-XX-XX发布 XXXX-XX-XX实施 I GB/TXXXXX—XXXX/IEC62418：2010 目次前言 II 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 1 4试验设备

2025-05-05 约1.28万字 28页立即下载

半导体器件 金属化应力空洞试验.pdf ICS31.080 CCSL00 中华人民共和国国家标准 GB/TXXXXX—XXXX/IEC62418：2010 ` 半导体器件金属化应力空洞试验 Semiconductordevices-Metallizationstressvoidtest (IEC624182010IDT) ：，（报批稿） 2022-12-10 （本草案完成时间：）在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施 GB/TXXXXX—XXXX/IEC62418：2010 目次前言II 1范围1 2规范性引用文件1 3术语和定义1 4试验设备1 5测试

2025-05-09 约1.93万字 17页立即下载

半导体器件 金属化应力空洞试验 (1).docx ICS31.080 CCSL00 中华人民共和国国家标准 GB/TXXXXX—XXXX/IEC62418：2010 ` 半导体器件金属化应力空洞试验 Semiconductordevices-Metallizationstressvoidtest (IEC62418：2010，IDT) (报批稿) (本草案完成时间：2022-12-10) 在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX-XX-XX发布 XXXX-XX-XX实施 I GB/TXXXXX—XXXX/IEC62418：2010 目次前言 II 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 1 4试验设备

2025-05-06 约1.28万字 28页立即下载

半导体器件 金属化应力空洞试验 (1).pdf ICS31.080 CCSL00 中华人民共和国国家标准 GB/TXXXXX—XXXX/IEC62418：2010 ` 半导体器件金属化应力空洞试验 Semiconductordevices-Metallizationstressvoidtest (IEC624182010IDT) ：，（报批稿） 2022-12-10 （本草案完成时间：）在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施 GB/TXXXXX—XXXX/IEC62418：2010 目次前言II 1范围1 2规范性引用文件1 3术语和定义1 4试验设备1 5测试

2025-05-09 约1.93万字 17页立即下载

【合肥工业大学】【半导体器件物理】试卷含答案 .pdf 【合肥工业大学】【半导体器件物理】试卷含答案--第1页《半导体器件物理》试卷（一）标准答案及评分细则一、填空（共32分，每空2分） 1、PN结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。 2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压V产生影响，具体地，对 T 于短沟道器件对V的影响为下降，对于窄沟道器件对V的影响为上升。 TT 3、在NPN型BJT中其集电极电流I受V电压控制，其基极电流I受V CBEBBE 电压控制。 4、硅-绝缘体SOI器件可用标

2025-03-19 约2.22千字 4页立即下载

【合肥工业大学】【半导体器件物理】试卷含答案剖析 .pdf 【合肥工业大学】【半导体器件物理】试卷含答案剖析--第1页《半导体器件物理》试卷（二）标准答案及评分细则一、填空（共24分，每空2分） 1、PN结电击穿的产生机构两种；答案：雪崩击穿、隧道击穿或齐纳击穿。 2、双极型晶体管中重掺杂发射区目的；答案：发射区重掺杂会导致禁带变窄及俄歇复合，这将影响电流传输，目的为提高发射效率，以获取高的电流增益。 3、晶体管特征频率定义；   答案：随着工作频率f的上升，晶体管共射极电流放大系数下降为1时所对应的频率f，称作特征频率。 T 4、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号；答案：V0。 T 5、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因；答案

2025-03-22 约4.61千字 3页立即下载

天津工业大学半导体器件物理期末试卷(含答案).docx 天津工业大学2025年半导体器件物理期末试卷(含答案) 〔1〕简要说明： ①p-n结的势垒高度与温度和掺杂浓度的关系分别怎样？为什么？②p-n结的势垒宽度与温度和掺杂浓度的关系分别怎样？为什么？ *〔2〕对于抱负p-n结： ①示意画出少数载流子的浓度分布。②假设p-n结两边的掺杂浓度分别为NA和ND，少数载流子的集中长度分别为Ln和Lp，试简洁导出该p-n结的电流-电压关系〔伏安特性〕。③简要说明:为什么正向电流与电压有指数函数关系？为什么反向电流与电压无关？对于实际的Si/p-n结： ①正向电流和反向电流分别主要包含哪些不同性质的电流重量？ ②正向电

2025-04-12 约3.87千字 8页立即下载

北京工业大学半导体物理7个实验预习经典案例.pptx 实验一四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻 ;一、实验目的;二、实验设备及其在本实验中的作用;三、实验原理;取r为无穷远处的电位为零，则所以上式就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离为ｒ的点的电位与探针流过的电流和样品电阻率的关系式，它代表了一个点电流源对距离ｒ处的点的电势的贡献。对于图1.2所示的情形，四根探针位于样品中央，电流从探针1流入，从探针4流出，则可将1和4探针认为是点电流源，由(1.6)式可知，2和3探针的电位为： ;2、3探针的电位差为：由此可得样品的电阻率为上式就是利用直流四探针法测量

2018-04-12 约9.17千字 89页立即下载

北京大学半导体器件类.ppt * IME PKU 第四节氮化硅（SNM）存储器 Control Gate I(2) I(1) I(3) D S 氮化硅非挥发性存储器(SONOS)结构与浮栅ROM类似，只是用氮化硅替代了浮栅的多晶硅，利用氮化硅中的电荷陷阱态实现电荷的存储 SNOS MNOS 优点：编程电压低、工艺简单缺点：在整个沟道区编程 IME PKU 第四节氮化硅（SNM）存储器氮化硅结构的能带图编程过程中，电子通过SiO2和部分Si3N4的 FN隧穿、与电荷陷阱态间的直接隧穿、从电荷陷阱态的PF发射是主要输运机制进入到氮化硅的电子进入到陷阱态第1项是P-F发射，第2项是陷阱电子的隧穿场发

2018-02-22 约2.5千字 42页立即下载

2017-06-28 约3.59万字 62页立即下载

北京大学半导体器件类ppt-第一章 半导体器件.ppt 例：UCE=6V时：IB=40?A, IC=1.5mA； IB=60 ?A, IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：?= 2.集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 3.集-射极反向截止电流ICEO ?A ICEO B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ?IBE ICBO进入N区，形成IBE。根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流? IBE。集电结反偏有ICBO 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分

2018-05-27 约6.78千字 107页立即下载

合肥工业大学《半导体器件物理》试卷(一)标准答案及评分细则.pdf 《半导体器件物理》试卷（一）标准答案及评分细则一、填空（共32分，每空2分） 1、PN结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。 2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对 VT的影响为下降，对于窄沟道器件对VT的影响为上升。 3、在NPN型BJT中其集电极电流IC受VBE电压控制，其基极电流IB受VBE电压控制。 4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是寄生参数小，响应速度快

2025-04-14 约1.62千字 5页立即下载

包括温度感测电路的半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112825258 A (43)申请公布日 2021.05.21 (21)申请号 202011108724.X (22)申请日 2020.10.16 (30)优先权数据 10-2019-0

2023-06-05 约1.27万字 12页立即下载

半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件.pdf 第第 1 章章 半导体器件半导体器件 第第章章 半导体器件半导体器件 1.1 已知图 1.1 所示电路中稳压管的稳定电压 U ＝6V，最小稳定电流I ＝5mA，最大稳定 Z Zmin 电流IZmax ＝25mA 。（1）分别

2018-02-23 约1.27万字 10页立即下载

1章半导体器件a.ppt 模拟电子技术第 1 章 半导体器件 　小　结 UD(on) 例 1.3.1 硅二极管，R = 2 k?，分别用二极管理想模型和恒压降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 的值。 [解] VDD = 2 V 理想 IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA) UO = VDD = 2 V 恒压降 UO = VDD – UD(on) = 2 ? 0.7 = 1.3 (V) IO = UO / R = 1.3 / 2 = 0.65 (mA) VDD = 10 V 理想 IO = VDD/ R = 10 / 2

2017-09-25 约字 31页立即下载