半导体存储器课件.ppt

記憶體容量的擴展字擴展CSA0A1A7…R/WI/O0…256×8RAM(0)I/O1I/O7…………CSA0A1A7…R/WI/O0…256×8RAM(1)I/O1I/O7…………CSA0A1A7…R/WI/O0…256×8RAM(2)I/O1I/O7…………CSA0A1A7…R/WI/O0…256×8RAM(3)I/O1I/O7…………I/O0I/O1I/O2I/O6I/O7A0A1A70~7……/Y0/Y1/Y2/Y3A0A1SA8A98,900xxxxxxxx01xxxxxxxx10xxxxxxxx11xxxxxxxxCSR/W*記憶體容量的擴展字擴展地址空間物理（實）地址：處理器可以訪問的線性地址。（由CPU的地址線位數決定）如：上例，10位地址碼IC地址範圍A9A8……A1A0（等效十進位數）00000(0)(255)10101(256)(511)21010(512)(767)31111(768)(1023)*記憶體容量的擴展記憶體擴展如果RAM(ROM)的位數和字數都不夠用，就需要同時採用位擴展和字擴展CPU的地址線——（要考慮實際應用中需要的地址空間的大小）CPU的數據線——地址空間（編址）——（映像）——記憶體記憶體擴展例題?*第七章記憶體§7.2只讀記憶體*§7.2只讀記憶體ROM的結構存儲矩陣、地址解碼器、輸出緩衝器數據線、地址線、選通控制線存儲單元的結構——用通/斷表示“0/1”*§7.2只讀記憶體ROM存儲矩陣的“字”線和“位”線11EN1EN1EN1EN1VCCA0ENW0W1W2W3A1D3’D2’D1’D0’D3D2D1D0輸出緩衝器地址解碼器存儲矩陣地址線讀控制數據線地址D3D2D1D0000101011011100100111110*§7.2只讀記憶體ROM存儲矩陣的“字”線和“位”線（續）字線和位線的每個交叉點都是一個存儲單元。二極體MOS工藝：電路圖的簡化畫法存儲量（容量）存儲單元的個數記法：“（字數）×（位數）”*§7.2只讀記憶體固定ROM（掩膜ROM）廠家把數據寫入記憶體中，用戶無法進行修改一次性可編程ROM（PROM）出廠時存儲內容全為1（或全為0），用戶可根據自己的需要編程一次光可擦除可編程ROM（EPROM）用浮柵技術生產的可編程記憶體，其內容可通過紫外線照射而被擦除電可擦除可編程ROM（E2PROM）採用浮柵技術，其存儲單元的是隧道MOS管，可用電擦除，擦除速度毫秒量級快閃記憶體（FlashMemory）採用浮柵型MOS管，電擦除方式，數據寫入方式與EPROM類似，擦除/寫入速度快，集成度高*§7.2只讀記憶體掩膜ROM和PROM掩膜——光刻IC工藝PROM既然在存儲矩陣中，“0”和“1”是用位線和字線是否連通（上圖中，“1”連通）表達的；出廠時，存儲矩陣交叉點用熔絲連接編程脈衝即為大電流“寫”，將“0”的位熔斷一次編程*§7.2只讀記憶體E2PROM和快閃記憶體（FlashMemory）電信號可擦除、可編程ROM；存儲單元：E2PROM：疊柵結構MOS管+選通管。Flash：單管疊柵結構；全部源級連在一起的MOS管單元，可以被同時擦除。E2PROMFlash隧道區30~40nm隧道區10~15nm考慮電容分壓：“控制柵—浮置柵”的電容和“浮置柵—源區”的電容*第七章記憶體用記憶體實現組合邏輯函數（以PROM為例）*記憶體實現組合邏輯函數ROM的主要用途程式記憶體ROM的邏輯電路用途實現組合邏輯函數（這條涵蓋下麵幾條）存儲序列信號表代碼轉換器字元發生器ROM乘法器……*早期的電子電腦只有通用的寄存器，編程的方法是連接電纜。而程式是外插型的，指令存儲在電腦的其他電路中。馮·諾伊曼《關於EDVAC的報告草案》提出了記憶體的概念*寫1（寫0）強制將Q和!Q拉高（接地）和接地（拉高）