半导体存储器 (2).ppt

关于半导体存储器 (2);重点难点; 半导体存储器是一种能存储大量二值数字信息的大规模集成电路，是现代数字系统特别是计算机中的重要组成部分。;对存储器的操作通常分为两类：;7.2.1 掩膜只读存储器（ROM）;ROM的基本结构 ;;地址译码器实现地址码的与运算，每条字线对应一个最小项。;存储矩阵实现字线的或运算;ROM的数据表 ;;一次性可编程ROM（PROM）：出厂时，存储内容全为1，用户可根据自己的需要进行编程，但只能编程一次。总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。;第十三页，共五十一页，2022年，8月28日;;7.2.3 可擦除的可编程只读存储器（EPROM）;第十六页，共五十一页，2022年，8月28日;第十七页，共五十一页，2022年，8月28日;Flash Memory也是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分开进行的，数据写入方式与EPROM相同，一般一只芯片可以擦除/写入100万次以上。; ;一、SRAM的基本结构;××××;存储容量;SRAM 2114的功能;2、SRAM静态存储单元;、动态随机存储器(DRAM);;①写入信息时，字线为高电平，VT导通，位线上的数据经过VT存入CS。;7.4 存储器容量的扩展;2、字扩展方式－－增加地址端个数;用256×8 位的RAM扩展为1024×8 位RAM的系统框图;第三十一页，共五十一页，2022年，8月28日;;7.5 用存储器实现组合逻辑函数;用存储器设计组合逻辑电路步骤;[例7.5.1]试用ROM设计一个八段字符显示译码器（带小数点）;第三十六页，共五十一页，2022年，8月28日;例2：试用ROM产生如下的一组多输出逻辑函数。; ABCD;第三十九页，共五十一页，2022年，8月28日;选用一片有4位地址输入、4位数据输出的16×4位存储器。 若选用1024×4位RAM，以它的地址输入端A3、A2、A1、A0作为D、C、B、A，以它的数据输出端D3、D2、D1、D0作为Y3、Y2、Y1、Y0，得到RAM的数据表：; 将数据表写入RAM中，就得到了所设计的代码转换电路;存储器的实际应用——;存储矩阵的点阵图;[题7.14] 如图是用16×4位ROM和同步十六进制加法计数器74LS161组成的脉冲分频电路，ROM的数据表如下所示。试画出在CP信号连续作用下D3、D2、D1和D0输出的电压波形，并说明它们和CP信号频率之比。;作业;ROM存储器的测试——;RAM存储器的测试——;第7章 小结;本章习题类型与解题方法;二、用存储器设计组合逻辑电路;感谢大家观看