半导体存储器件课件.ppt

半導體記憶體件*記憶體件8.1存儲設備的分類光記憶體磁記憶體半導體記憶體CDRWMsCDROMs主記憶體輔助記憶體*磁記憶體軟碟硬碟數字音頻磁帶磁泡記憶體輔助記憶體U盤移動硬碟*主記憶體半導體記憶體只讀記憶體ROMs讀寫記憶體RAMs雙極靜態RAMsSRAMsMOS靜態RAMsSRAMs動態RAMsDRAMs非易失性RAMsNVRAMs雙極MOS掩膜ROMPROM掩膜ROM可編程ROM可擦可編程ROM電可擦出可編程ROM*8.2只讀記憶體ROM1.ROM的結構ROM由三部分組成：1.地址解碼器2.存儲矩陣3.輸出緩衝器*2.可編程ROM存儲容量：每行為4位，共存了8行4位×8=32位總共容量為32位最早的ROM，電路如左圖所示。有內部解碼器的ROM。圖中，虛線左側為解碼器，與非陣列，右側為記憶體數據的“或”陣。因為A2A1A0=000時，最頂點的與非門輸出為0。將電流流過R沿箭頭流向與非門入地。輸出端D3度出0。同樣，D2，D1讀出為0，D0讀出1。於是第0行存的數據為D3D2D1D0=0001。圖中用箭頭表示的連接為編程，存儲數碼0，無箭頭表示1。*3.典型ROM積體電路記憶體陣列用黑點表示存儲數碼1。每個黑點表示一個電晶體或場效應電晶體。右側框內，虛線上面為雙極電晶體，虛線下麵為MOS場效應電晶體。由於連接的電晶體不同，分為雙極型ROM和MOS型可編程ROM。編程就是把連接電晶體的基極或柵極上的熔絲燒斷與否。燒斷表示0，不燒斷為1。在編程時按需要有選擇的保留或燒斷就是編程。解碼器與陣列存儲或陣列*7488-256位可編程雙極型ROMA0A1A2A3A4+VccEnD0D1D2D3D4D5D6D7GND74881234567981011121314151632x8bit*MOS掩膜可編程ROM存儲容量為：215×8（位）=256K（位）=32K（字）型號為：47256表示存256K位代碼，相當於32K個字（8位/字）晶片內部結構：262,144位掩膜可編程ROM；組成32768個字（8位/字），即32K字記憶體；15位地址線輸入用於選擇32768個存儲單元中的任何一個。8位Data輸出線。D0~D7訪問時間及功耗：NMOS的47256訪問時間為200ns，電源功耗為82.5mw；CMOS的47c256（TMS47c256）訪問時間為150ns，電源功耗28mw控制端E和S的功能：E、S——低電平輸入有效S——是片選控制端，要求輸入晶片在系統中的介面地地E——有控制掉電功能，晶片使能端E=1時，內部電路工作在掉電方式，晶片只消耗正常工作電流的1/4，這個特性適合電池供電系統*8.3PROMPROM的熔絲是完好的，未編程的。編程是用戶自己完成的。使用專用編程器，將熔絲燒斷。燒斷的單元存儲0，保留的存儲1。PROM分兩類：低密度，高速，高功耗的有：74186是512位雙極型PROM，組織成存儲64個字（8位/字），訪問時間為50nsMOS的PROM：高密度，低速，低功耗。如TMS27pc256是32個字（8位/字），訪問時間為120ns*8.4可擦寫PROM圖示2732EPROM和標準的PROM一樣，存儲數據。區別在於若要改變存儲內容只需將以前的數據擦掉重新編程。方法：用紫外線擦抹器，打開抽屜，將EPROM放入其中，關上抽屜接正電源，裏面的紫外線燈照射2~5分鐘，就將內容全部擦掉。EPROM在晶片頂部中心位置有一方形窗戶，通過紫外線照射，將存儲的電荷釋放。缺點：EPROM用紫外線擦抹時，整個晶片的內容全部擦掉，因此若只希望改變一個位元組或一位時，必須把所有內容全部擦掉，然後對整個真值表重新編程。1.EPROM*2.EEPROM電路特點：1.是用電脈衝編程。2.可利用電脈衝擦除存儲的數據。3.對E2PROM編程存儲位元組要用+21v10ms脈衝，E2PROM適合大容量（幾千個位元組）的編程，可大量減少編程時間。突出優點：對存儲的數據可以單字節擦除或改變。即單字節擦除，單字節改變。*ROM有多種用途1.數碼轉換2.字元發生器3.複字元發生器4.組合邏輯電路5.算術運算6.查表7.鍵盤解碼器8.5ROM的應用*應用實例1.

用PROM實現數碼的轉換。用256×8位ROM將8421二進位編碼轉換成格雷碼。解：用8421二進位編碼作為地址解