萤石基材料薄膜和包括其的半导体器件.pdf

一种用于半导体器件的薄膜及其制造方法、半导体器件.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114792623 A (43)申请公布日 2022.07.26 (21)申请号 202110100458.4 (22)申请日 2021.01.25 (71)申请人中国科学院微电子研究所地址 10

2023-05-12 约1.16万字 11页立即下载

二维材料在半导体器件.docx 二维材料在半导体器件 第一部分概述 1990年纳米科学技术的兴起，使得以量子点为主的纳米半导体材料与物理的研究，成为一个新的热点课题，尤其是量子点自组织化生长技术的日渐成熟，为各类量子点单电子器件和量子点激光器的研制奠定了重要物质基础。 1、分类（1）电子输运器件异质结双极晶体管高分子迁移率晶体管共振隧穿二极管单电子输运器件 AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管；InGaP/GaAs异质结双极晶体管； InGaAs/InP异质结双极晶体管； SiGe/Si异质结双极晶体管； AlGaAs/GaAs高分子迁移率晶体管； GaN基高电子迁移率晶体管； δ掺杂场效应晶体管；共振隧穿

2019-09-05 约1.26千字 3页立即下载

光电材料与半导体器件.ppt 第三章均匀半导体 ;本章内容; 经典力学，包括我们所熟悉的物理量，如质量、速度、动能和势能，以及我们所熟悉的方程，如等，不能用来描述晶体中的电子。但是，如果能够使用经典力学，而不是量子力学，将是十分方便的，因为经典力学的方程很简单，而且经典力学的物理图像很清楚。在这一节里我们将看到，定义准经典力学是可能的。在准经典力学中，仍可以采用经典的物理量，只是需要将电子的真实质量换成电子的有效质量，有效质量包含了电子和晶体周期性势场的相互作用。将有效质量应用到经典力学的方程中，可以正确地预测晶体中的电子在受到来自外部的力（或外力）时的行为。先讨论最简单的情况，一维晶体中的电子。;在第1

2017-04-20 约5.08千字 41页立即下载

半导体器件物理之半导体材料.ppt 半导体器件物理主要内容第一章半导体物理基础晶体结构，能带论，晶格振动，半导体统计，非平衡载流子输运, 器件工作基本方程第二章半导体接触 P-N结异质结金属-半导体接触半导体绝缘体 M I S 主要内容第三章典型半导体器件 3.1 双极结型晶体管基本工作原理，输出特性，等效电路，异质结双极晶体管(HBT) 3.2 场效应晶体管结型场效应晶体管, MOSFET的基本工作原理和电荷控制模型,C-MOS器件的基本工作原理,异质结场效应晶体管,非晶薄膜晶体管 3.3 光电子器件 LED和半导体激光器,光探测器,太阳能电池,集成光电子学 3.4 专用微波器件隧道二

2018-06-14 约6.77千字 67页立即下载

包括温度感测电路的半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112825258 A (43)申请公布日 2021.05.21 (21)申请号 202011108724.X (22)申请日 2020.10.16 (30)优先权数据 10-2019-0

2023-06-05 约1.27万字 12页立即下载

半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件.pdf 第第 1 章章 半导体器件半导体器件 第第章章 半导体器件半导体器件 1.1 已知图 1.1 所示电路中稳压管的稳定电压 U ＝6V，最小稳定电流I ＝5mA，最大稳定 Z Zmin 电流IZmax ＝25mA 。（1）分别

2018-02-23 约1.27万字 10页立即下载

1章半导体器件a.ppt 模拟电子技术第 1 章 半导体器件 　小　结 UD(on) 例 1.3.1 硅二极管，R = 2 k?，分别用二极管理想模型和恒压降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 的值。 [解] VDD = 2 V 理想 IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA) UO = VDD = 2 V 恒压降 UO = VDD – UD(on) = 2 ? 0.7 = 1.3 (V) IO = UO / R = 1.3 / 2 = 0.65 (mA) VDD = 10 V 理想 IO = VDD/ R = 10 / 2

2017-09-25 约字 31页立即下载

半导体器件!.pdf 第卷第期年月物理学报，，， % ! $### ! =,%;=,!?@ $### A ／／（）／ ###(0$#$###%#! 00(#% 6-26789+:-6+:;:-6

2018-08-16 约1.84万字 4页立即下载

C第1章 半导体器件1.ppt 第一章 半导体器件 1.1 概述 1.2 半导体二极管进入 1.3 晶体三极管进入 1.4 绝缘栅场效应管进入 1.1 概述绪 1.1.1 本征半导体进入 1.1.2 杂质半导体进入 1.1.3 PN结及其导电性能进入 1.1.3 PN结及其导电性能一、PN结进入二、 PN结的单向导电性进入 — 基区 — 发射区 — 集电区 NPN型 E C B P P N E B C E C B PNP型 1.3.1 三极管的结构、符号和特点 N N P 发射极E 基极B 集电极C 发射结集电结结构特点： ? 基区很薄，且掺杂浓度很低；发射区的掺杂浓度最高；集电

2019-01-25 约5.13千字 57页立即下载

第5章_半导体器件.ppt 第一章教学要求 1、了解半导体的基础知识 2、掌握晶体二极管、晶体三极管的工作原理、特性曲线和主要参数。 3、掌握二极管基本电路的分析方法与应用 半导体器件优点：体积小、重量轻、耗电少，使用寿命长、输入功率小，性能可靠等有很多半导体的导电能力在不同条件下差别很大 1.1.1 本征半导体 (Intrinsic Semiconductor) 1.1.1 本征半导体 1.1 本征半导体电子和空穴产生过程动画演示 1.1.2 杂质半导体定义：在本征半导体中掺入微量其它元素的半导体(Doped Semiconductor

2017-07-20 约1.14万字 132页立即下载

《第2章半导体器件》.ppt 光电二极管与发光二极管可用于构成红外线遥控电路。图2.17所示为红外遥控电路示意图。当按下发射电路中的按钮时，编码器电路产生出调制的脉冲信号，由发光二极管将电信号转换成光信号发射出去。接收电路中的光电二极管将光脉冲信号转换为电信号，经放大、解码后，由驱动电路驱动负载动作。当按下不同按钮时，编码器产生不同的脉冲信号，以示区别。接收电路中的解码器可以解调出这些信号，并控制负载做出不同的动作。 4．变容二极管利用PN结的势垒电容随外加反向电压变化的特性可制成变容二极管。变容二极管工作在反偏状态下，此时，PN结结电容的数值随外加电压的大小而变

2018-11-10 约1.15万字 58页立即下载

第2章 半导体器件1(新).ppt 第二章 半导体器件 本章提要：半导体二极管和晶体管是常用的半导体器件。它们的基本结构、工作原理、特性曲线和主要参数是学习电子技术和分析电子电路的基础。PN结是构成各种半导体器件的基础。因此，本章重点讨论以下几个问题： 1）半导体的导电特性； 2）PN结的形成及其导电特性； 3）半导体二极管的工作原理及其特性曲线、主要参数及应用； 4）特殊二极管； 5）晶体管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。作为了解的内容，介绍： 1）场效应晶体管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数； 2）晶闸管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数及应用。学习的重点是半导体器件的工作原理、特

2016-06-06 约6.75千字 40页立即下载

半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820331 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202010298694.7 (22)申请日 2020.04.16 (30)优先权数据 10-2019-0

2023-06-04 约1.62万字 17页立即下载

半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820731 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011283776.0 (22)申请日 2020.11.17 (30)优先权数据 10-2019-0

2023-06-06 约3.94万字 58页立即下载

半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820734 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011283782.6 (22)申请日 2020.11.17 (30)优先权数据 10-2019-0

2023-06-03 约3.5万字 50页立即下载