文档详情

半导体器件.pdf

发布：2023-06-06约3.94万字共58页下载文档

文本预览下载声明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820731 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011283776.0 (22)申请日 2020.11.17 (30)优先权数据 10-2019-0

显示全部

相似文档

半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件.pdf 第第 1 章章 半导体器件半导体器件 第第章章 半导体器件半导体器件 1.1 已知图 1.1 所示电路中稳压管的稳定电压 U ＝6V，最小稳定电流I ＝5mA，最大稳定 Z Zmin 电流IZmax ＝25mA 。（1）分别
2018-02-23 约1.27万字 10页立即下载
1章半导体器件a.ppt 模拟电子技术第 1 章 半导体器件 　小　结 UD(on) 例 1.3.1 硅二极管，R = 2 k?，分别用二极管理想模型和恒压降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 的值。 [解] VDD = 2 V 理想 IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA) UO = VDD = 2 V 恒压降 UO = VDD – UD(on) = 2 ? 0.7 = 1.3 (V) IO = UO / R = 1.3 / 2 = 0.65 (mA) VDD = 10 V 理想 IO = VDD/ R = 10 / 2
2017-09-25 约字 31页立即下载
半导体器件!.pdf 第卷第期年月物理学报，，， % ! $### ! =,%;=,!?@ $### A ／／（）／ ###(0$#$###%#! 00(#% 6-26789+:-6+:;:-6
2018-08-16 约1.84万字 4页立即下载
C第1章 半导体器件1.ppt 第一章 半导体器件 1.1 概述 1.2 半导体二极管进入 1.3 晶体三极管进入 1.4 绝缘栅场效应管进入 1.1 概述绪 1.1.1 本征半导体进入 1.1.2 杂质半导体进入 1.1.3 PN结及其导电性能进入 1.1.3 PN结及其导电性能一、PN结进入二、 PN结的单向导电性进入 — 基区 — 发射区 — 集电区 NPN型 E C B P P N E B C E C B PNP型 1.3.1 三极管的结构、符号和特点 N N P 发射极E 基极B 集电极C 发射结集电结结构特点： ? 基区很薄，且掺杂浓度很低；发射区的掺杂浓度最高；集电
2019-01-25 约5.13千字 57页立即下载
第5章_半导体器件.ppt 第一章教学要求 1、了解半导体的基础知识 2、掌握晶体二极管、晶体三极管的工作原理、特性曲线和主要参数。 3、掌握二极管基本电路的分析方法与应用 半导体器件优点：体积小、重量轻、耗电少，使用寿命长、输入功率小，性能可靠等有很多半导体的导电能力在不同条件下差别很大 1.1.1 本征半导体 (Intrinsic Semiconductor) 1.1.1 本征半导体 1.1 本征半导体电子和空穴产生过程动画演示 1.1.2 杂质半导体定义：在本征半导体中掺入微量其它元素的半导体(Doped Semiconductor
2017-07-20 约1.14万字 132页立即下载
《第2章半导体器件》.ppt 光电二极管与发光二极管可用于构成红外线遥控电路。图2.17所示为红外遥控电路示意图。当按下发射电路中的按钮时，编码器电路产生出调制的脉冲信号，由发光二极管将电信号转换成光信号发射出去。接收电路中的光电二极管将光脉冲信号转换为电信号，经放大、解码后，由驱动电路驱动负载动作。当按下不同按钮时，编码器产生不同的脉冲信号，以示区别。接收电路中的解码器可以解调出这些信号，并控制负载做出不同的动作。 4．变容二极管利用PN结的势垒电容随外加反向电压变化的特性可制成变容二极管。变容二极管工作在反偏状态下，此时，PN结结电容的数值随外加电压的大小而变
2018-11-10 约1.15万字 58页立即下载
第2章 半导体器件1(新).ppt 第二章 半导体器件 本章提要：半导体二极管和晶体管是常用的半导体器件。它们的基本结构、工作原理、特性曲线和主要参数是学习电子技术和分析电子电路的基础。PN结是构成各种半导体器件的基础。因此，本章重点讨论以下几个问题： 1）半导体的导电特性； 2）PN结的形成及其导电特性； 3）半导体二极管的工作原理及其特性曲线、主要参数及应用； 4）特殊二极管； 5）晶体管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。作为了解的内容，介绍： 1）场效应晶体管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数； 2）晶闸管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数及应用。学习的重点是半导体器件的工作原理、特
2016-06-06 约6.75千字 40页立即下载
半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820331 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202010298694.7 (22)申请日 2020.04.16 (30)优先权数据 10-2019-0
2023-06-04 约1.62万字 17页立即下载
半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820734 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011283782.6 (22)申请日 2020.11.17 (30)优先权数据 10-2019-0
2023-06-03 约3.5万字 50页立即下载
半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820771 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011284283.9 (22)申请日 2020.11.17 (30)优先权数据 2019-2079
2023-06-03 约2.33万字 38页立即下载
半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820728 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011296256.3 (22)申请日 2020.11.18 (30)优先权数据 10-2019-0
2023-06-06 约4.32万字 61页立即下载
半导体器件.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582964 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202110819234.9 (22)申请日 2021.07.20 (30)优先权数据
2023-05-07 约3.66万字 52页立即下载
半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345863 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110111121.3 (22)申请日 2021.01.26 (30)优先权数据 16/793,54
2023-06-17 约3.49万字 40页立即下载
半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820732 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011270310.7 (22)申请日 2020.11.13 (30)优先权数据 2019-2070
2023-06-02 约2.47万字 47页立即下载
半导体器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013161 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202011451732.4 (22)申请日 2020.12.10 (30)优先权数据 10-2019-0
2023-06-07 约3.66万字 63页立即下载