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模 拟 电 子 技 术 第 1 章 半导体器件 　小　结 UD(on) 例 1.3.1 硅二极管，R = 2 k?，分别用二极管理想模型和恒压降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 的值。 [解] VDD = 2 V 理想 IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA) UO = VDD = 2 V 恒压降 UO = VDD – UD(on) = 2 ? 0.7 = 1.3 (V) IO = UO / R = 1.3 / 2 = 0.65 (mA) VDD = 10 V 理想 IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA) 恒压降 UO = 10 ? 0.7 = 9.3 (V) IO = 9.3 / 2 = 4.65 (mA) VDD 大， 采用理想模型 VDD 小， 采用恒压降模型 例1.3.2 试求电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 的值。 解：假设二极管断开 UP = 15 V UP UN 二极管导通 等效为 0.7 V 的恒压源 P N UO = VDD1 ? UD(on)= 15 ? 0.7 = 14.3 (V) IO = UO / RL= 14.3 / 3 = 4.8 (mA) I2 = (UO ? VDD2) / R = (14.3 ? 12) / 1 = 2.3 (mA) I1 = IO + I2 = 4.8 + 2.3 = 7.1 (mA) 例 1.3.3 二极管构成“门”电路，设 V1、V2 均为理想二极管，当输入电压 UA、UB 为低电压 0 V 和高电压 5 V 的不同组合时，求输出电压 UO 的值。 0 V 正偏 导通 5 V 正偏 导通 0 V V2 V1 UB UA 输出 电压 理想二极管 输入电压 0 V 0 V 正偏 导通 正偏 导通 0 V 0 V 5 V 正偏 导通 反偏 截止 0 V 5 V 0 V 反偏 截止 正偏 导通 0 V 5 V 5 V 正偏 导通 正偏 导通 5 V 例 1.3.4 画出硅二极管构成的桥式整流电路在 ui = 15sin?t (V) 作用下输出 uO 的波形。 (按理想模型) O t ui / V 15 RL V1 V2 V3 V4 ui B A uO O t uO/ V 15 　　若有条件，可切换到 EWB 环境观察桥式整流波形。 例 1.3.5 ui = 2 sin ?t (V)，分析二极管的限幅作用。 ui 较小，宜采用恒压降模型 ui 0.7 V V1、V2 均截止 uO = ui uO = 0.7 V ui ? 0.7 V V2 导通 V１截止 ui ? 0.7 V V1 导通 V2 截止 uO = ? 0.7 V 思考题: V1、V2 支路各串联恒压源，输出波形如何？(可切至 EWB ) O t uO/ V 0.7 O t ui / V 2 ? 0.7 稳压二极管 一、伏安特性 符号 工作条件：反向击穿 iZ /mA uZ/V O ?UZ ? IZmin ? IZmax ?UZ ?IZ ? IZ 特性 二、主要参数 1. 稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管 两端的反向电压值。 2. 稳定电流 IZ 越大稳压效果越好， 小于 Imin 时不稳压。 3. 最大工作电流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM 4. 动态电阻 rZ rZ = ?UZ / ?IZ 越小稳压效果越好。 几 ? ? 几十 ? 例 1.4.1 分析简单稳压电路的工作原理， R 为限流电阻。 IR = IZ + IL UO= UI – IR R UI UO R RL IL IR IZ 二、电流放大原理 1. 三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 2. 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极 共集电极 共基极 实现电路: 小 结 第 1 章 一、两种半导体和两种载流子 两种载流 子的运动 电子 — 自由电子 空穴 — 价电子 两 种 半导体 N 型 (多电子) P 型 (多空穴) 二、二极管 1. 特性 — 单向导电 正向电阻小(理想为 0)，反向电阻大(?)。 iD O uD U (BR) I