《直流磁控反应溅射制作Ta2O5的工艺和电学特性研究》.pdf

直流磁控反应溅射制作Ta205的工艺和电学特性研究 Correlationbetween andelectricalcharacteristicsof parameters Ta20s thinfilms reactivedirect-current depositedby magnetron sputtering 1肖 田 1徐毅1曹兆铿1刘逸忠 2李德杰 Yi 1Xu 1Cao 1Liu 1Xiao ZhaokengYizhong Thin啵Dejie 1广电电子股份有限公司平板显示技术研发中心 200081 2清华大学电子工程系 100084 1FPDRD electron 1 Center，SVACo．Ltd．，Shanghai，20008 of Electronic 2Department Engineering，TsinghuaUniversity，Beijing，100084 摘要：在做完底电板的玻璃上。在氩气和氧气的混合气氛中用钽靶直流磁控反应溅射沉积五氧化二钽。用 XPS分析了膜的杂质、Ta和O的摩尔比和结合能，并用MIM结构测试了电学性能。随着氩氧比的变化关介电常数在 cm2，击穿场强高于2MVkm。 关键词：五氧化二钽 直流磁控反应溅射 电学特性金属一鲍缘层一金属 thin reactivedirect-cur弛nt inan ambient．The Abstract：Ta205 magnet∞on Ad02 6]nls啪depositedby sputtering of are XPStheelectrical areexamined MIMstructure．Thedielectricconstant mms and a analysedby properties throush thetantalumoxide from19_【o onthe O+PAr)】ased r吼sed 68，dependingoxygenpergentage[P(％)=POff(Pduringsputter- is than10nMcm2at0．5MV，cmelectric thedielectricbreakdownfieldis current less field，and leakage ing．The density than for 2MV／em P=50％． greater electrical