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《固结磨料研磨SiC晶体基片研究》
一、引言
随着科技的发展，碳化硅（SiC）晶体基片因其出色的物理和化学性能，在半导体、光电等领域得到了广泛应用。然而，由于SiC材料硬度高、脆性大，其加工难度较大，特别是基片的表面处理过程。固结磨料研磨技术作为一种有效的加工手段，对于提高SiC晶体基片的表面质量和加工效率具有重要意义。本文旨在研究固结磨料研磨SiC晶体基片的工艺和方法，以期为相关领域提供参考。
二、固结磨料研磨技术概述
固结磨料研磨技术是一种利用固结在研磨工具表面的磨料颗粒对工件进行加工的技术。其优点在于研磨力强、效率高、工件表面质量好等。在SiC晶体基片的加工过程中，固结磨料研磨技术可以有
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