半导体表面及接触界面特性.pdf

半导体表面特性及MOS电容71半导体表面和界面结构72表面势73.PPT 表面反型施加一个更大正电压时，表面处能带进一步向下弯曲，如图（c）所示。表面处费米能级位置高于禁带中央能级Ei，也就是说，费米能级离导带底比离价带顶更近一些，这意味着表面处性质发生根本性变化，表面电子浓度超过空穴浓度，表面导电类型由空穴型转变成电子型，这种情况称表面反型。反型层Xi发生在近表面，且厚度很薄，而紧靠其内部还夹着一层耗尽层，厚度比反型层大很多。对于N型半导体，同样可证明：金属电极加正电压为电子积累；加小负电压为耗尽状态；而负电压进一步增大时，表面空穴堆积出现反型层。 7.3 MOS结构的电容-电压特性金属-氧化物

2018-04-22 约5.68千字 62页立即下载

半导体表面特性及电容.ppt 表面耗尽施加一个正电压（V＞0）于金属板上时，表面势为正值，表面处能带向下弯曲，如图（b）所示。这时越接近表面，价带顶离费米能级越远，价带中空穴浓度随之降低。并且，外加正电压越大，能带向下弯曲越深；越接近表面，空穴浓度比体内低得多，表面层的负电荷基本上等于电离受主杂质浓度，这种情况称表面耗尽。半导体中每单位面积的空间电荷QSC的值为qNAW，其中W为表面耗尽区的宽度。第三十一张，课件共六十三张，编辑于2022年5月第三十二张，课件共六十三张，编辑于2022年5月表面反型施加一个更大正电压时，表面处能带进一步向下弯曲，如图（c）所

2022-06-11 约6.68千字 63页立即下载

半导体的导特性.doc 自然界的各种物质就其导电性能来说，可以分为导体、绝缘体和半导体三大类。　　 HYPERLINK /kejian/03博物馆电工电子/电工电子/电子技术(大连海事)/resource/explain/explain.htm \t _parent 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅、锗等，它们的 HYPERLINK /kejian/03博物馆电工电子/电工电子/电子技术(大连海事)/resource/explain/explain.htm \t _parent 电阻率通常在之间。半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。如纯净的半导体 HYPERLI

2017-06-12 约4.07千字 3页立即下载

半导体的特性.pptx 教学设计半导体的特性延迟符延迟符教学分析内容分析1知识目标2能力目标掌握１.半导体的基本特性。２.二极管的基本构成。能够1.画出正确画出二极管的结构图和图形符号。2.正确其它类型二极管的图形符号。延迟符教学分析内容分析教学重点关键文本教学难点半导体的基本特性及二极管构成Ｐ型半导体和Ｎ型半导体的形成延迟符新课引入TeachingProcessPART03延迟符引入新课猜一猜,老师在视频中用手遮住的器件是什么呢？延迟符教学过程金、银、铜导体半导体绝缘体硅和锗塑料、陶塑物质的分类自然界中的物质，按照导电能力的不同，可分为导体、半导体、和绝缘体。延迟符什么是半导体呢？半导体器件是在２０世纪

2025-04-23 约1.71千字 26页立即下载

半导体器件物理第三章半导体的表面特性.ppt IC 半导体器件物理第三章半导体的表面特性 第一页，共37页第3章 半导体的表面特性 本章要点 半导体的表面与Si-SiO2系统的特性表面空间电荷区的状态和表面势的概念 MOS结构的阈值电压和MOS结构的应用 MOS结构的C-V特性金属与半导体接触、肖特基势垒二极管（SBD）第二页，共37页 3.1 半导体表面与Si-SiO2系统 半导体表面 悬挂键 Si原子 3.1.1 理想的半导体表面 所谓理想的半导体表面是指原子完全有规则的排列且终止于同一平面上。但显而易见的是，由于表面处晶格原子排列的终止，故表面处的原子存在不饱和共价键，被称为悬挂键。一般地，一个悬挂键对应

2021-11-04 约4.43千字 37页立即下载

半导体光电特性的表面光电压谱表征.doc 第 21 卷第 2 期 2004 年 6 月河北建筑科技学院学报 Journal of Hebei Institute of Architectural Science and Technology Vol121 No12 J un12004 文章编号 :1007 - 6743 (2004) 02 - 0090 - 04 半导体光电特性的表面光电压谱表征王华英1 ,朱海丰2 ,何杰2 ,李丽宏1 (1. 河北工程学院数理系 , 河北邯郸 056038 ;2. 河

2017-12-17 约5.9千字 4页立即下载

金属和半导体的接触.ppt 四、势垒区的电场、电势分布与势垒宽度（厚度）金属—n型半导体泊松方程7.1金属半导体接触及其能级图4空间电荷区类似p+n结五、肖特基接触的势垒电容7.1金属半导体接触及其能级图5势垒厚度依赖于外加电压的势垒称为肖特基势垒练习-课后习题3第七章金属和半导体的接触施主浓度ND=1017cm-3的n型硅，室温下功函数是多少？若不考虑表面态的影响，它分别同Al、Au、Mo接触时，是形成阻挡层还是反阻挡层？硅的电子亲和能取4.05eV。设WAl=4.18eV,WAu=5.20eV,WMo=4.21eV,室温下硅的NC=2.8×1019cm-3。解：设室温下杂质全部电离，则故即故n-Si的功函数为因WAl

2025-03-22 约2.82千字 24页立即下载

金属和半导体的接触.pdf 1 半导体中的电子状态 2 半导体中载流子的统计分布 3 载流子输运与导电 4 非平衡载流子－结 5 p n 6 金属和半导体的接触 半导体表面与结构 7 MIS 半导体异质结 半导体表面与结构 8

2019-05-08 约1.76万字 29页立即下载

半导体的欧姆接触.docx 精品文档精品文档精品文档精品文档 半导体的欧姆接触(2012-03-3015:06:47)转载▼标签：杂谈分类：补充大脑 1、欧姆接触欧姆接触是指这样的接触：一是它不产生明显的附加阻抗；二是不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。欧姆接触是指这样的接触：一是它不产生明显的附加阻抗；二是不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。从理论上说，影响金属与半导体形成欧姆接触的主要因素有两个：金属、半导体的功函数和半导体的表面态密度。对于给定的半导体，从功函数对金属－半导体之间接触的影响来看，要形成欧姆接触，对于n型半导体，应该选择功函数小的金属，即满足Wm《Ws，使金属与半导

2024-06-20 约4.36千字 7页立即下载

金属半导体接触.ppt 表面受主态密度很高的n型半导体与金属接触能带图(a)接触前E0Wm(EF)mq?ns(EF)sECqVD(省略表面态能级）第23页，共64页，星期日，2025年，2月5日金和半接触时,当半导体的表面态密度很高时?电子从半导体流向金属?这些电子由受主表面态提供?平衡时，费米能级达同一水平Wm(EF)sECqVDWm-Ws(b)紧密接触空间电荷区的正电荷＝表面受主态上的负电荷＋金属表面负电荷第24页，共64页，星期日，2025年，2月5日表面受主态密度很高的n型半导体与金属接触能带图(c)极限情形(EF)sECq?ns第25页，共64页，星期日，2025年，2月5日半导体的势垒高度?半导体内的表面

2025-04-13 约4.61千字 10页立即下载

金属和半导体的接触.pptx 第七章金属和半导体的接触 Metal-SemiconductorContact 一、概述： 12 7.1金属-半导体接触及在微电子和光电子器件中，其能带图半导体材料和金属、半导体以及绝缘体的各种接触是普遍存在的，如MOS 器件、肖特基二极管、气体传感器等。薄膜技术及纳米技术的发展，使得界面接触显得更加重要。二、金属和半导体的功函数Wm、Ws 1、金属的功函数Wm 表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到表面外的真空中所需要的最小能量。即： WmE0(EF)m E0 Wm (EF)m 功函数大小标致电子在金属中被束缚的强弱 2、半导体的功函数Ws E0 χW

2025-04-27 约3.68万字 63页立即下载

　金属和半导体的接触.ppt 概念整流理论是指阻挡层的整流理论紧密接触的金属和半导体之间有外加电压外加正向电压V于金属（V0），电压主要降落在高阻区域阻挡层上。原来半导体表面和内部之间的电势差，即表面势是(Vs00)，现在应为(Vs0十V)，因而半导体一边的电子势垒高度由-qVs0 改变为-q(Vs0十V)下降，形成从金属到半导体的正向净电流，它是由n型半导体中多数载流子构成的。外加电压越高，势垒下降越多正向电流越大。 * * 第七章金属和半导体的接触林硕 E-mail: linshuo_pv@163.com §7.1 金属半导体接触 及其能带图本章内容提要金半接触及其能

2016-12-18 约2.63千字 30页立即下载

7.金属和半导体的接触[精].ppt 第7章金属和半导体的接触 7.1 金属半导体接触及其能级图 7.2 金属半导体接触整流理论 7.3 少数载流子的注入和欧姆接触 * 7.1 金属半导体接触及其能级图1 一、功函数和电子亲合能真空能级E0：真空中静止电子的能量电子亲和能χ：真空能级与导带底之差（导带底电子逸出体外的最小能量） 半导体中的功函数和电子亲和能金属中的功函数功函数：真空能级与费米能级之差 1、标志电子在材料中束缚的强弱 2、金属功函数随原子序数周期变化；铯：1.93eV, 铂：5.36eV 3、半导体功函数与杂质浓度有关二、接触电势差整流欧姆

2017-01-13 约3.27千字 24页立即下载

金属和半导体的接触.ppt 小结需掌握的公式（由n型半导体推导）：半导体侧势垒高度(WmWs):金属侧势垒高度肖特基模型巴丁模型第54页，共65页，星期日，2025年，2月5日2.加正向电压V0半导体侧电子势垒高度降低为-q[（Vs）0+V)]金属侧电子势垒高度不变。电流方向M→S，由S→M的电子形成正向电流。第22页，共65页，星期日，2025年，2月5日3.加反向电压V0半导体侧电子势垒高度增加为：-q[（Vs）0+V)]电流方向S→M，由M→S的电子形成反向电流第23页，共65页，星期日，2025年，2月5日阻挡层的I/V特性??正向电流随外加正向电压增加而增大；??金属一侧势垒很高，反向电流很小，且趋于饱和。??

2025-04-02 约7.24千字 65页立即下载

半导体表面与结构.ppt 归一化平带电容与氧化层厚度的关系第31页，讲稿共59页，2023年5月2日，星期三3.当VG﹥0时，p型半导体表面耗尽（图CD段）耗尽时正偏，耗尽时，空间电荷区厚度xd和表面势Vs均随VG增大而增加，xd大，Cs减小,C/C0减小。第32页，讲稿共59页，2023年5月2日，星期三P型半导体MIS结构低频C-V曲线第33页，讲稿共59页，2023年5月2日，星期三4.当VG﹥﹥0时，p型半导体表面强反型（图EF段）强反型时1）低频情况强反型时，反型层表面聚集大量电荷，MIS结构相当于绝缘层平板电容，C≈C0。第34页，讲稿共59页，2023年5月2日，星期三P型半导体MIS结构低频C-V曲线第

2024-01-25 约4.53千字 59页立即下载