金属和半导体的接触.pdf

1 半导体中的电子状态 2 半导体中载流子的统计分布 3 载流子输运与导电 4 非平衡载流子 － 结 5 p n 6 金属和半导体的接触 半导体表面与 结构 7 MIS 半导体异质结 半导体表面与 结构 8 MIS 9 半导体的光、热、磁效应 6 金属和半导体的接触 本章内容提要  金半接触及其能带图  整流特性(肖特基模型和巴丁模型)  少子注入和欧姆接触 4 1874年：F. Braun发现金属和硫化物半导体接触时具有整流作用 (CuFeS2 、PbS等） r o t c 上世纪初期Cu O、Se整流器 u 2 d n o c i m e 上世纪30年代末：点接触硅整流器 s I 1938年：W. Schottky在能带论的 I 基础上提出金-半接触界面 metal 势垒模型( 肖特基势垒)，奠定了金-半接触的理论基础！ 1940s～：随着p-n结二极管的出现，金-半接触在器件方面的应用地位降低  1960s：平面工艺制作出金-半二极管(肖特基二极管) 近乎理想的伏安特性，噪声低，频率特性好 随后，应用领域的快速发展推动了金-半接触理论的进一步发展 5 整流接触：微波技术和高速集成电路 金属—半导体接触 欧姆接触：电极制作 半导体器件和电路的重要组成部分 能带图 半导体物理的重要内容 整流特征 欧姆接触