金属和半导体的接触.ppt

四、势垒区的电场、电势分布与势垒宽度（厚度）金属—n型半导体泊松方程7.1金属半导体接触及其能级图4空间电荷区类似p+n结五、肖特基接触的势垒电容7.1金属半导体接触及其能级图5势垒厚度依赖于外加电压的势垒称为肖特基势垒练习-课后习题3第七章金属和半导体的接触施主浓度ND=1017cm-3的n型硅，室温下功函数是多少？若不考虑表面态的影响，它分别同Al、Au、Mo接触时，是形成阻挡层还是反阻挡层？硅的电子亲和能取4.05eV。设WAl=4.18eV,WAu=5.20eV,WMo=4.21eV,室温下硅的NC=2.8×1019cm-3。解：设室温下杂质全部电离，则故即故n-Si的功函数为因WAl=4.18eVWs，故二者接触形成反阻挡层又WAu=5.20eV,WMo=4.21eV，显然WAuWMoWs故Au、Mo与n-Si接触均形成阻挡层第七章金属和半导体的接触受主浓度NA=1017cm-3的p型锗，室温下功函数是多少？若不考虑表面态的影响，它分别同Al、Au、Pt接触时，是形成阻挡层还是反阻挡层？硅的电子亲和能取4.13eV。设WAl=4.18eV,WAu=5.20eV,WPt=5.43eV,室温下锗的Eg=0.67eV,NA=6×1018cm-3。12作业-课后习题47.2金属半导体接触整流理论1——金半接触整流理论即金属和半导体紧密接触时的阻挡层理论。考虑电流平衡态阻挡层——无净电荷流过势垒区V0,半导体一侧势垒降——电流：金属→半导体（电子：半导体→金属）且随V增而电流增V0,半导体一侧势垒增——电流：半导体→金属（电子：金属→半导体）但随V增而电流变化小←金属一边势垒不随外加电压变化——即阻挡层具有类似pn结的整流作用外加偏压对n型阻挡层的能带图Vf=0Vf0Vr07.2金属半导体接触整流理论2一、扩散理论同时考虑势垒区扩散和漂移电流——适用于势垒宽度电子平均自由程电子通过势垒区要发生多次碰撞7.2金属半导体接触整流理论3主要取决于x=0附近的电势值17.2金属半导体接触整流理论4平衡态近似:x=0处电子和金属近似处于平衡态；n(0)近似为平衡时电子浓度1、JSD随电压变化——反向电流密度不饱和2、适用于势垒宽度电子平均自由程——小迁移率半导体，如氧化亚铜7.2金属半导体接触整流理论5随电压而变化，并不饱和二、热电子发射理论7.2金属半导体接触整流理论6——适用于势垒宽度电子平均自由程电子在势垒区碰撞忽略，势垒高度起决定作用电流的计算归结为计算超越势垒载流子数目)即为速度空间单位体积中的电子数则单位体积中E~(E+dE)范围内的电子数为7.2金属半导体接触整流理论7实空间单位体积，速度空间电子的分布实空间单位面积，单位时间，速度vx(0)的电子都可以到达金半界面，其数目为可以越过势垒电子的能量要求电流密度7.2金属半导体接触整流理论8－半导体到金属的电子流依赖于电压有效理查逊常数7.2金属半导体接触整流理论9－金属到半导体的电子流基本不依赖于电压总电流密度Jm→s：常数热平衡条件下1、JST与外加电压无关，但强烈依赖于温度2、Ge、Si、GaAs有较高迁移率，较大平均自由程,其电流输运机构是多数载流子的热电发射*En，费米势*接触电势差Vms，可负；势垒VD一定为正。整流特性：n-金属，电子浓度随外加电压敏感；金属-n半导体，不随电压变化；欧姆特性：n-金属与金属-n均无势垒，易交换电子，形成电流。*接触电势差弯曲降落在金属和半导体间非常窄的区域，相当于一个偶极子层。半导体表面能带的歪曲程度对金属功函数不敏感，只与半导体的掺杂即EF位置相关。*无论n,p型阻挡层，正向电流都是相应多数载流子有半导体到金属所形成。*正向导通时，pn结正向电流由少数载流子的扩散运动形成，而肖特基势垒二极管的正向电流由半导体的多数载流子发生漂移运动直接进入金属形成，因此后者比前者具有更好的高频特性肖特基势垒二极管的势垒区只存在于半导体一侧*第7章金属和半导体的接触7.1金属半导体接触及其能级图7.2金属半导体接触整流理论7.3少数载流子的注入和欧姆接触7.1金属半导体接触及其能级图1一、功函数和电子亲合能真空能级E0：真空中静止电子的能量电子亲和能χ：真空能级与导带底之差（导带底电子逸出体外的最小能量）半导体中的功函数和电子亲和能金属中的功