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SiC晶须制备方法研究进展.docx

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SiC晶须制备方法争论进展

郝斌

【摘要】碳化硅晶须的制备已有众多争论.目前,国内制备SiC晶须的方法主要可分为两大类:气相反响法和固体材料法,每种制备方法都有其各自的特点.本文重点介绍了这两种制备方法的合成机理,以及相关制备方法取得的一些试验争论成果.

【期刊名称】《陶瓷》

【年(卷),期】2023(000)009

【总页数】3页(P11-13)

【关键词】碳化硅晶须;制备方法;试验成果

【作者】郝斌

【作者单位】唐山学院环境与化学工程系,河北,唐山,063000

【正文语种】中文

【中图分类】TQ174.75

碳化硅的硬度高,耐磨性能好,并有抗热冲击性、抗氧化性能好等特点,是

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