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一维Ga2O3纳米材料掺杂的日盲紫外光电探测器设计及性能研究
一、引言
日盲紫外光电探测器作为一种高灵敏度、高稳定性的光电器件，在军事、环保、医疗等领域具有广泛的应用前景。近年来，一维Ga2O3纳米材料因其优异的物理和化学性质，被广泛应用于光电探测器的设计和制造中。本文旨在研究一维Ga2O3纳米材料掺杂的日盲紫外光电探测器的设计及其性能表现。
二、一维Ga2O3纳米材料概述
一维Ga2O3纳米材料是一种具有特殊结构的新型材料，其具有高比表面积、良好的光电性能和优异的化学稳定性。在紫外光探测领域，Ga2O3因其宽带隙和良好的光电导性能而备受关注。一维结构的Ga2O3纳米线、纳米带等材料，因其独特
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