一、来源、定义与适用范围.PDF

CM-054-V01 半导体生产设施中安装减排系统减少 CF 排放 4 （第一版） 一、 来源、定义与适用范围 1. 来源 本方法学参考 UNFCCC EB 的CDM 项目方法学 AM0096: CF emission 4 reduction from installation of an abatement system in a semiconductor manufacturing facility （第1.0 版），可在以下网址查询 /methodologies/DB/SF95S0OW4343SA06Z6FUUXYD0FFTCT 本方法学也参考以下工具的最新批准版本： 化石燃料燃烧导致的项目或泄漏二氧化碳排放计算工具； 电力消耗导致的基准线、项目和/或泄漏排放计算工具； 基准线情景识别与额外性论证组合工具。 2. 定义 出于使用本方法学之目的，下述定义适用： 四极质谱仪（QMS ）：四极质谱仪是一种分析系统，其工作原理是将需进 行定量分析的原子或分子电离成离子，并按照荷质比进行分离。分离之后，使 用法拉第杯或电子倍增器收集离子化的物种。得出的电流与废气样品中检测到 的物种浓度成比例。QMS 支持确定流出气流中存在的物种类型，分析其时间依 赖性，包括所存在类型物种的分压力。 稳定化学物种：指不干扰所发生的反应，在洗涤器内无法被破坏的化学物 种（如氦和氪）。 刻蚀工艺：清除晶体上的薄膜的半导体生产工艺。在半导体生产过程中， 常用的一种工艺是干法刻蚀，其中将使用氟化气体。 3. 适用范围 本方法学适用于现有半导体生产设施安装催化氧化设备（减排系统），从 而减少半导体刻蚀工艺 CF4 排放的项目活动。本方法学仅适用于减少 CF4 排放。 本方法学不允许使用其他刻蚀气。 本方法学适用需具备下列条件： 本方法学仅适用于截至 2010 年 1 月 31 日，拥有至少三年已采购CF 、 4 以及半导体衬底库存和产量的信息的现有生产线。计入期限于自项目 活动生效起，现有生产线的剩余使用寿命； 实施项目活动前三年内，未减少生产线的 CF4 排放，且现有生产线亦 1/22 未安装减排设备； CF 并非临时存储或消耗，以便进行后续减排； 4 在实施项目活动前三年内，生产线排放的 CF 均被排放至大气中； 4 所在国家没有法律法规强制要求分解、减排、回收或替换 CF ，或包含 4 CF4 的排放气体中的任何组成部分； CF 减排应在使用 CF 的同一个工业场所进行；且用于减排的 CF 并非 4 4 4 从其他设施输入； 关于确定流向减排系统 CF4 流量的测量工作应在减排设备之前直接进 行，中间不应有能够通过反应、稀释或分解改变 CF4 流量的其他任何 设备； 减排系统的最大处理能力根据观测到的历史流量进行调整。从所有反 应室进入减排系统的 CF4 最大流量低于减排系统的最大减排能力，废 气（CF4 和其他所有伴生气体与稀释气体）总流量不应超过减排系统的