行业标准《硅单晶腐蚀片》（送审稿）编制说明一、工作简况1、立项目的.doc

PAGE \* MERGEFORMAT 1 行业标准《硅单晶腐蚀片》 （送审稿）编制说明 工作简况 立项目的和意义 硅单晶产品已广泛应用在电子工业和能源领域，优质的硅材料产品不仅取决于硅单晶的拉制工艺，而且与硅单晶后期加工过程密切相关。当前硅基半导体材料以多种形式应用在各类高新技术产业中，传统的硅单晶衬底材料主要以切片、磨片、抛光片为主，以上几种硅单晶片形式满足了不同类型的半导体材料和器件的需要。近年来，随着产业的发展和技术的进步，硅磨片和硅抛光片的中间产品－硅单晶腐蚀片以其较磨片更优的性能、较抛光片更低的成本和加工产业链短等特点越来越被重视，以腐蚀片作为终端衬底材料的太阳能电池片、整流器件、二极管、三极管等在电力电子、汽车电子、能源等领域得到广泛应用，但目前硅材料标准中只有磨片、抛光片等产品标准，没有腐蚀片的相关标准。切割片、研磨片和抛光片标准中，对硅片的几何参数和宏观的表面参数进行了一定的规范，但是对硅片表面的微观性能的定义规范较少，制定《硅单晶腐蚀片》的行业标准，能进一步补充半导体硅材料产品标准体系，有利于规范、指导硅单晶腐蚀片的生产，促进产业的进步和发展。 任务来源 根据《工业和信息化部办公厅关于印发2014年第三批行业标准制修订计划的通知》（工信厅科函[2014] 628号）的要求，由天津市环欧半导体材料技术有限公司负责《硅单晶酸腐片》的编制，项目编号：2014-1459T-YS，要求2015年完成。2014年11月在江苏徐州召开的任务落实会上中，经过与会的行业技术人员讨论，决定将硅单晶碱腐片也纳入到标准中，因此将标准名称由“硅单晶酸腐片”更改为“硅单晶腐蚀片”。 项目承担单位概况 本项目承研单位天津市环欧半导体材料技术有限公司，成立于2000年，其前身是天津半导体材料厂，成立于1958年，是我国最早的半导体材料专业生产厂家之一，拥有50余年的半导体材料生产历史和专业经验，公司目前注册资金30000万元。2003年以来，企业的经济效益连续数年持续稳定增长。2000年9月以来环欧公司被认定为高新技术企业，公司产品由公司独立开发和生产，形成了以区熔单晶硅、直拉单晶硅、区熔硅片、直拉硅片四大系列产品，拥有国家授权专利67项，受理和实质审查阶段50项，是国内同行业中单晶硅种类齐全的少数几家之一。环欧公司生产的MCZ和FZ硅单晶晶棒和硅片远销俄罗斯、德国、美国、日本、台湾等国家和地区。 环欧半导体材料技术有限公司自2007年开始开发硅单晶酸腐片，自2009年开始开发研制碱腐蚀片，掌握控制酸腐片粗糙度和碱腐蚀片大腐蚀纹的专利技术，公司开发的酸腐蚀片产品主要出口德国、澳大利亚、美国和台湾等地区，是行业内比较知名的英飞凌公司、美国力特公司、欧洲恩智浦公司的酸腐蚀硅片的主要供应商。 主要工作过程 本项目在下达计划之日起，在环欧半导体内部召开了关于标准起草的工作会议，布置了标准起草的相关工作，产品测试和数据收集等工作。2014年11月20日，由全国有色金属标准化技术委员会主持在江苏徐州召开了《硅单晶腐蚀片》行业标准任务落实会，会议上对标准的起草任务进行确定，成立了标准编制组，确定了时间进度安排和主要内容等。通过与行业内相关企业讨论，一致认为应该将碱腐蚀片也纳入到标准中，将原来的硅单晶酸腐片扩展为硅单晶腐蚀片。 2014年12月～2015年3月，编制组根据江苏徐州任务落实会确定的起草原则，对我国目前生产硅单晶产品的相关企业进行调研和统计，参考国内外相关标准，如GB/T 12965 《硅单晶切割片和研磨片》，同时增加了硅单晶腐蚀片表面状态的性能参数，GB/T 29505 《硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法》、 GB/T 20503《铝及铝合金阳极氧化 阳极氧化膜镜面反射率和镜面光泽度的测定 20°、45°、60°、85°角度方向》等，同时结合企业的一些技术指标和检验数据起草了本标准的初稿。2015年4月，起草单位将初稿发送给编制组其他成员征求意见，经过编制组的多次讨论和修改形成了讨论稿。 2015年5月，由全国有色金属标准化技术委员会主持在云南昆明召开了《硅单晶腐蚀片》标准的第一次会议，与会专家对标准的讨论稿进行了认真、热烈的讨论，从术语定义、表面状态、规格、外观检验等多方面提出15条修订建议，根据昆明工作会议的要求，编制组对《硅单晶腐蚀片》标准进行了修订，于2015年8月形成了征求意见稿，并发函相关单位征求意见，具体参见意见汇总处理表。 根据行业内相关厂家的意见，编制组进行对标准文稿进行了修订，形成了预审稿。 2015年9月24日，由全国有色金属标准化技术委员会主持在湖南长沙召开了《硅单晶腐蚀片》标准的第二次会议，与会专家对标准的预审稿进行了讨论，对标准的术语定义，条款规范、产品包装等方面提出13条修订意见，根据长沙工作会议的要求，