VPLOGNDNCIFONIFOPGND2423222120191.8dB.pdf

功能框图 0 8 0 7 9 - 0 0 1 GNDVPLO ENBL VSET VPDT GND RFIP NCGNDVPLO 7 8 15 16 17 18 212223 ADL5801 1920 GNDIFON 13 14 DETO GND VPRF GND GND GND IFOP RFIN GND GND LOIP LOIN 6 5 4 3 2 1 24 9 10 11 12 DETBIAS V2I 图1. One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. Tel: 781.329.4700 ?2010–2014 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Technical Support 特性 宽带上变频器/下变频器 功率转换增益：1.8 dB 宽带RF、LO和IF端口 SSB噪声系数(NF)：9.75 dB 输入IP3：28.5 dBm 输入P1dB：13.3 dBm LO驱动：0 dBm(典型值) 单电源供电：5 V (130 mA) 可调偏置，适合低功耗工作 4 mm × 4 mm、24引脚裸露焊盘LFCSP封装 应用 蜂窝基站接收机 无线电链路下变频器 宽带模块转换 仪器仪表 平衡的有源混频器配置可提供出色的本振至射频和本振至 中频泄漏，其典型值优于?40 dBm。当负载为200 Ω时，中频 输出提供7.8 dB(典型值)的电压转换增益。集电极开路中频 输出的宽频率范围使得ADL5801适合用作各种传输应用中 的上变频器。 ADL5801采用SiGe高性能IC工艺制造。该器件采用4 mm × 4 mm、24引脚紧凑型LFCSP封装，工作温度范围为?40°C至 +85°C。同时提供评估板。 概述 ADL5801集成高线性度双平衡有源混频器内核和本振(LO) 缓冲放大器，可提供10 MHz至6 GHz的宽动态范围频率转换。 专有的线性化架构使混频器能在高输入电平下提供增强的 IP3性能。偏置调整特性可通过单一控制引脚实现输入线 性度、单边带(SSB)噪声系数以及直流电流的最优化。可选 的输入功率检波器用于自适应偏置控制。在手机应用中， 带内阻塞信号可能会导致动态性能下降，该器件的高输入 线性度使其能够满足这一应用的苛刻要求。自适应偏置功 能使得该款器件能够在出现强阻塞信号时实现高IP3性能。 当阻塞信号被消除后，ADL5801会自动降低偏置以实现低 噪声指数和低功耗。 Rev. E Document Feedback Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文，敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误，ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性，请参考ADI提供 的最新英文版数据手册。 ADL5801 高IP3、10 MHz 至6 GHz有源混频器 目录 Rev. E | Page 2 of 40 特性 1 应用 1 功能框图 1 概述 1 修订历史 2 技术规格 3 绝对最大额定值 6 ESD警告 6 引脚配置和功能描述 7 典型工作特性 8 采用宽带巴伦的下变频器模式 8 采用Mini-Circuits? TC1-1-43M+ 输入巴伦的下变频器模式 12 采用Johanson 3.5 GHz输入巴伦的下变频器模式 14 采用Johanson 5.7 GHz输入巴伦的下变频器模式 16