Lecture 02 AlGaN-GaN性质与生长.pdf

2015.7 目 录 《第三代半导体氮化镓微波功率器件》2 GaN材料与器件结构生长 一 ．宽禁带半导体的优势 张进成 宽带隙半导体技术国家级重点实验室 二 ．宽禁带半导体材料的性质 西安电子科技大学微电子学院 2015.7 三 ．宽禁带半导体材料的生长 2012 西安电子科技大学 1 目 录 宽禁带半导体的优势 氮化物半导体有着很多优良的特性. 一 ．宽禁带半导体的优势 第一代 第二代 二 ．宽禁带半导体材料的性质 第三代 三 ．宽禁带半导体材料的生长 高禁带宽度高禁带宽度高禁带宽度高禁带宽度 高击穿电场高击穿电场高击穿电场高击穿电场 高饱和速率高饱和速率高饱和速率 高高 2DEG2DEG 高高高高高TjTjTjTjTj 高电压高电压高电压高电压高电压高电压 高频率高频率高频率高频率高频率高频率 高电流密度高电流密度高电流密度高电流密度高电流密度 氮化物是微波功率器件和大功率器件的完美选择氮化物是微波功率器件和大功率器件的完美选择 宽禁带半导体的优势 宽禁带半导体的优势 GaN 与 SiC 和 Si 在功率器件方面的对比 GaN GaN 是微波功率器件的最佳选择是微波功率器件的最佳选择 1 宽禁带半导体的优势 目 录 GaN 电子器件可应用领域 通讯 能源 数字集成电路 一 ．宽禁带半导体的优势 微波和毫米 高速度和高耐压 高频和高功率 High-E 功率开 高速数字器件 5G无线通讯 储能 下一代数字IC- 雷达 电力机车 E/D 模式 二 ．宽禁带半导体材料的性质 卫星通讯