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第 17 卷 第 2 期 太 阳 能 学 报 V o l. 17, N o. 2
1996 年 4 月 A CTA EN ER G IA E SOLA R IS S IN ICA A p r. , 1996
高效单晶硅太阳电池的研制
赵玉文 李仲明 莫春东 吕 昆 李志明
于中尧 于 元 陈志云 何少琪
(北京市太阳能研究所, 北京 100083)
文 摘: 简述了高效单晶硅太阳电池的初步研制结果。对电阻率不同的CZ 和 FZ 材料和不同的电
池结构进行了实验。为了提高效率, 对发射区钝化工艺、分区轻(n+ ) 重(n+ + ) 扩散、背场、表面 织构
化技术和氯化氢清洗等工艺进行了试验研究。目前制备的最好电池, 其效率为 18. 63% 。
关键词: 高效单晶硅太阳电池, 工艺, 试验
0 引 言
晶硅太阳电池一直占据光伏市场的最大份额。近年来高效单晶硅电池获得的巨大成就, 使
晶硅电池在未来发展中的地位和前景更为乐观。澳大利亚新南威尔士大学光伏器件及研究中
心是这一研究领域中最突出的代表, 他们研制的电池, 效率高达 24% [ 1 ]。美国、德国、日本等国
高效电池的效率也都超过 20% [ 2- 4 ]。这些研究成就的意义不仅为降低晶体电池成本提供了更
大可能, 同时对开发高效薄膜多晶电池, 从而大幅度降低太阳电池成本具有重要意义。
影响太阳电池效率的因素有两类: 一类是光学损失, 包括电池前表面反射损失、接触栅线
的阴影损失以及长波段的非吸收损失, 其中反射和阴影损失是可以通过特定技术措施减小的,
而长波非吸收损失与半导体性质有关; 另一类是电学损失, 它包括半导体表面及体内的光生载
流子复合、半导体和金属栅线的体电阻和半导体金属界面电阻损失。相对而言, 欧姆损失在技
术上较易降低, 其中最关键、难度最大的是降低光生载流子的复合, 它直接影响太阳电池的开
路电压, 而提高电池效率的关键就是提高开路电压 V oc。
我们对不同电池结构、不同电阻率的材料( 、 ) 、背场等进行了试验。目前制备的最好
CZ FZ
电池, 其效率达 18. 63% 。
1 实 验
1. 1 硅材料
试验中采用两种 50 的硅片:
Ф
( )
a. P 100 , CZ, 0. 3—0. 4 cm , 双面抛光, 300 ±10m
. ( ) , 1. 2 , 双面抛光, 300 ±10
b P 100 , FZ cm m
1. 2 电池结构
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为了对比, 依次进行如图 1 所示三种电池结构的试验。
图 1 三种电池结构
在电池结构( ) 中, 增加了栅线下的重掺杂; 在电池结构( ) 中, 除栅线下重掺杂外, 还增加
b c
了表面倒金字塔减反射工艺。
1. 3 工艺过程
结构 (a) : 硅片清洗→磷扩散→热氧化→背面蒸
→烧背场→光刻正面栅指接触条纹→蒸发
AL T i A g
或 →光刻栅指电极
T i Pd A g
结构(b ) : 在(a) 的扩散前增加氧化和光刻栅指接触
区→磷扩散→去氧
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